[发明专利]半导体封装方法及半导体封装结构

权利要求书

1.一种半导体封装方法，其特征在于，其包括：

提供包封有第一待封装裸片和金属散热片的包封结构件，所述第一待封装裸片的正面形成有第一保护层，所述金属散热片包括第一部分、第二部分、以及连接于第一部分与第二部分之间的连接部，所述金属散热片的第一部分紧贴所述第一待封装裸片的背面，所述金属散热片的第二部分和所述第一待封装裸片的第一保护层露出于所述包封结构件的第一表面；

在所述包封结构件的第一表面上形成第一再布线层，所述第一再布线层与所述第一待封装裸片的正面的焊垫电连接；

形成第一介电层，所述第一介电层形成于所述第一再布线层以及露出的所述包封结构件的第一表面、所述第一待封装裸片的第一保护层以及所述金属散热片的第二部分上，且将正面形成有第二保护层的第二待封装裸片通过所述第一介电层固定在所述包封结构件的第一表面中的所述金属散热片的第二部分上，所述第二待封装裸片的背面紧贴所述金属散热片的第二部分；

在所述第一介电层远离所述包封结构件的一面上形成第二再布线层，所述第二再布线层与所述第一再布线层以及所述第二待封装裸片的正面的焊垫均电连接；

形成第二介电层，所述第二介电层在形成于第二再布线层以及露出的所述第一介电层和所述第二待封装裸片的第二保护层上。

2.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在形成第一介电层，所述第一介电层形成于所述第一再布线层以及露出的所述包封结构件的第一表面、所述第一待封装裸片的第一保护层以及所述金属散热片的第二部分上，且将正面形成有第二保护层的第二待封装裸片通过所述第一介电层固定在所述包封结构件的第一表面中的所述金属散热片的第二部分上，所述第二待封装裸片的背面紧贴所述金属散热片的第二部分中，所述半导体封装方法包括：

在所述第一再布线层以及露出的所述包封结构件的第一表面、所述第一待封装裸片的第一保护层以及所述金属散热片的第二部分上施加所述第一介电层；

初步加热所述第一介电层后，将正面形成有所述第二保护层的所述第二待封装裸片通过所述第一介电层施加到所述包封结构件的第一表面中对应于所述金属散热片的第二部分的位置；

继续加热所述第一介电层，所述第一介电层受热固化，所述第二待封装裸片随着所述第一介电层固化到所述包封结构件的第一表面中对应于所述金属散热片的第二部分的位置，所述第二待封装裸片的背面紧贴所述金属散热片的第二部分。

3.如权利要求2所述的半导体封装方法，其特征在于，所述初步加热的时间为30秒～60秒，温度为80度～120度；所述继续加热的时间为1小时～4小时，温度为190度～200度。

4.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在所述包封结构件的第一表面上形成第一再布线层之前，所述半导体封装方法包括：

在第一待封装裸片的正面形成所述第一保护层，在所述第一保护层上形成第一保护层开口，所述第一保护层开口位于所述第一待封装裸片的焊垫处；

将正面形成有所述第一保护层的所述第一待封装裸片和所述金属散热片贴装于载板上，所述第一待封装裸片的背面朝上，正面朝向所述载板，所述金属散热片的第一部分紧贴所述第一待封装裸片的背面，所述金属散热片的第二部分，所述第二部分贴装于载板上；

通过包封层覆盖在所述第一待封装裸片、所述金属散热片以及露出的所述载板上，形成所述包封结构件；

剥离所述载板，露出带有所述第一待封装裸片的正面和所述金属散热片的第二部分的所述包封结构件的第一表面。

5.如权利要求4所述的半导体封装方法，其特征在于，在形成所述包封结构件之后，剥离所述载板之前，所述半导体封装方法包括：

减薄所述包封结构件中远离所述载板的第二表面，露出所述金属散热片的第一部分中远离所述第一待封装裸片的一面。