[发明专利]半导体封装方法及半导体封装结构在审
| 申请号: | 202010231979.9 | 申请日: | 2020-03-27 |
| 公开(公告)号: | CN113725099A | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
| 发明(设计)人: | 周辉星 | 申请(专利权)人: | 矽磐微电子(重庆)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/367;H01L23/373;H01L21/60;H01L23/488;H01L23/31 |
| 代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 曾莺华 |
| 地址: | 401331 重*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 封装 方法 结构 | ||
本申请提供一种半导体封装方法及半导体封装结构。该半导体封装方法包括:提供包封有第一待封装裸片和金属散热片的包封结构件;在所述包封结构件的第一表面上形成第一再布线层,所述第一再布线层与所述第一待封装裸片的正面的焊垫电连接;形成第一介电层,且将正面形成有第二保护层的第二待封装裸片通过所述第一介电层固定在所述包封结构件的第一表面中的所述金属散热片的第二部分上,所述第二待封装裸片的背面紧贴所述金属散热片的第二部分;在所述第一介电层远离所述包封结构件的一面上形成第二再布线层;形成第二介电层。通过本申请的半导体封装方法制作的半导体封装结构具有体积小,结构紧凑的优势,并且能够有效散热。
技术领域
本申请涉及一种半导体技术领域,尤其涉及一种半导体封装方法及半导体封装结构。
背景技术
目前,在封装过程中,常常将具有不同功能的裸片封装在一个封装结构中,以形成特定作用,被称为MCM(英文全称:multi-chip module,中文名称:多芯片模块封装结构)。MCM具有体积小,可靠性高,高性能和多功能化等优势。
随着电子设备小型轻量化,具有紧凑结构、小体积的芯片封装体受到越来越多的市场青睐。
另外,芯片在工作过程中,会产生热量,如果产生的热量不及时散出,将会对芯片的工作效率以及使用寿命产生不良影响。有效的将芯片工作中积累的热量散出,是保证芯片的持续高效运行的基础。
然而,如何进一步减小芯片封装体的体积并有效散热是本领域有待解决的一个难题。
发明内容
本申请的一个方面提供一种半导体封装方法,其包括:
提供包封有第一待封装裸片和金属散热片的包封结构件,所述第一待封装裸片的正面形成有第一保护层,所述金属散热片包括第一部分、第二部分、以及连接于第一部分与第二部分之间的连接部,所述金属散热片的第一部分紧贴所述第一待封装裸片的背面,所述金属散热片的第二部分和所述第一待封装裸片的第一保护层露出于所述包封结构件的第一表面;
在所述包封结构件的第一表面上形成第一再布线层,所述第一再布线层与所述第一待封装裸片的正面的焊垫电连接;
形成第一介电层,所述第一介电层形成于所述第一再布线层以及露出的所述包封结构件的第一表面、所述第一待封装裸片的第一保护层以及所述金属散热片的第二部分上,且将正面形成有第二保护层的第二待封装裸片通过所述第一介电层固定在所述包封结构件的第一表面中的所述金属散热片的第二部分上,所述第二待封装裸片的背面紧贴所述金属散热片的第二部分;
在所述第一介电层远离所述包封结构件的一面上形成第二再布线层,所述第二再布线层与所述第一再布线层以及所述第二待封装裸片的正面的焊垫均电连接;
形成第二介电层,所述第二介电层在形成于第二再布线层以及露出的所述第一介电层和所述第二待封装裸片的第二保护层上。
可选的,在形成第一介电层,所述第一介电层形成于所述第一再布线层以及露出的所述包封结构件的第一表面、所述第一待封装裸片的第一保护层以及所述金属散热片的第二部分上,且将正面形成有第二保护层的第二待封装裸片通过所述第一介电层固定在所述包封结构件的第一表面中的所述金属散热片的第二部分上,所述第二待封装裸片的背面紧贴所述金属散热片的第二部分中,所述半导体封装方法包括:
在所述第一再布线层以及露出的所述包封结构件的第一表面、所述第一待封装裸片的第一保护层以及所述金属散热片的第二部分上施加所述第一介电层;
初步加热所述第一介电层后,将正面形成有所述第二保护层的所述第二待封装裸片通过所述第一介电层施加到所述包封结构件的第一表面中对应于所述金属散热片的第二部分的位置;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





