[发明专利]半导体凹陷的形成方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

使用高温酸和水稀释来蚀刻半导体结构(224)；以及

使用室温酸和水以及表面改性化学品湿法蚀刻来蚀刻所述半导体结构(226)。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述高温酸和水稀释中使用氢氟酸来蚀刻所述半导体结构(328)。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述高温酸和水稀释中使用约2000份水比约1份酸的比率来蚀刻所述半导体结构(434)。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述室温酸和水湿法蚀刻中使用约300份水比约1份酸的比率来蚀刻所述半导体结构(436)。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述高温稀释和所述室温酸和水中使用去离子水(434)。

6.根据权利要求1所述的方法，其中使用所述室温酸和水以及表面改性化学品湿法蚀刻会使所述半导体结构的表面疏水(436)。

7.一种方法，包括：

使用高温酸和水稀释来图案化半导体结构以去除电容器结构(101)上的氮化物凸起(115)(328)；

使用室温酸和水以及表面改性化学品稀释来图案化所述半导体结构(330)；以及

用还原剥离来图案化所述半导体结构以降低半导体结构电阻并去除所述表面改性化学品(332)。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括使所述高温稀释的温度在60摄氏度至75摄氏度的范围内(328)。

9.根据权利要求7所述的方法，还包括使所述室温的温度在20摄氏度至25摄氏度的范围内(330)。

10.根据权利要求7所述的方法，还包括使用所述高温稀释和室温蚀刻作为湿法蚀刻(328)。

11.根据权利要求7所述的方法，还包括在完成所述高温稀释之后开始所述室温(330)。

12.根据权利要求7所述的方法，还包括将所述半导体结构成形为具有增大的面积的直线轮廓以沉积电容器材料(328)。

13.一种方法，包括：

使用约2000份去离子水比约1份氢氟酸的高温稀释来蚀刻半导体结构(434)；

使用以下来蚀刻所述半导体结构：

约300份去离子水比约1份氢氟酸(436)以及表面改性化学品(436)的室温湿法蚀刻；以及

执行还原剥离以减小半导体结构电阻(438)。

14.根据权利要求13所述的方法，其中蚀刻所述半导体结构包括蚀刻具有硅层(114、118)和金属层(116)的高纵横比半导体结构(436)。

15.根据权利要求14所述的方法，还包括在所述蚀刻的硅(114、118)和金属层(116)上方形成所述氮化物层(112)(436)。

16.根据权利要求14所述的方法，其中蚀刻所述半导体结构包括蚀刻具有第一硅层(118)作为半导体的所述高纵横比半导体结构(436)。

17.根据权利要求14所述的方法，还包括蚀刻具有钨作为所述金属层(116)的所述半导体结构(436)。

18.根据权利要求14所述的方法，其中蚀刻所述半导体结构包括蚀刻具有第二硅层(114)作为电介质的所述高纵横比半导体结构(436)。

19.根据权利要求14所述的方法，还包括使用所述高温稀释来选择性地蚀刻所述硅层(434)。

20.根据权利要求13所述的方法，还包括执行还原剥离，其中所述还原剥离包括氧气和氢气(O₂/H₂)(438)。