[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

半导体部，包括第1导电型的第1半导体层；

第1电极，设置于上述半导体部的背面；

第2电极，设置于上述半导体部的表面；

控制电极，配置于上述第2电极与上述半导体部之间，并配置于在上述半导体部的上述表面侧设置的沟槽的内部，经由第1绝缘膜而从上述半导体部电绝缘；以及

场板，设置于上述沟槽的内部，位于上述第1电极与上述控制电极之间，通过上述第1绝缘膜和第2绝缘膜而从上述半导体部电绝缘，经由第3绝缘膜而从上述控制电极电绝缘，

上述半导体部还包括：第2导电型的第2半导体层，设置于上述第1半导体层与上述第2电极之间，隔着上述第1绝缘膜而与上述控制电极相对；和第1导电型的第3半导体层，选择性地设置于上述第2半导体层与上述第2电极之间，

上述第1绝缘膜包含位于上述第1半导体层与上述第2绝缘膜之间的部分，上述第2绝缘膜位于上述第1绝缘膜与上述场板之间，具有比上述第1绝缘膜的介电常数低的介电常数。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第2绝缘膜具有比上述第1绝缘膜的原子密度低的原子密度。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第3绝缘膜包含与上述第2绝缘膜相同的材料。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述场板位于上述第1半导体层中，通过上述第1绝缘膜和上述第2绝缘膜而从上述第1半导体层电绝缘。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第1绝缘膜包含氧化硅，上述第2绝缘膜包含SiOC。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其中，

上述第3绝缘膜包含SiOC。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第2绝缘膜具有与上述控制电极接触的第1端，

上述第3绝缘膜具有与上述控制电极接触的第2端，

上述第1端及上述第2端沿着上述控制电极的下表面排列。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第3绝缘膜在从上述第1电极朝向上述第2电极的第1方向上在上述控制电极中延伸。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第3绝缘膜位于上述第1方向上的第1等级，

上述第1等级在上述第1方向上高于上述控制电极的下表面所处的第2等级。

10.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第1等级在上述第1方向上高于上述第2半导体层的下表面所处的第3等级。

11.如权利要求8所述的半导体装置，其中，

上述第3绝缘膜包含与上述第1绝缘膜相同的材料。

12.如权利要求8所述的半导体装置，其中，

上述第1绝缘膜及上述第3绝缘膜分别包含氧化硅，

上述第2绝缘膜包含SiOC。