[发明专利]半导体晶片、半导体晶片的制造方法及半导体装置的制造方法

说明书

实施方式涉及半导体晶片、半导体晶片的制造方法及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体晶片包含：支撑区域，与支撑部件对向；外周区域，位于支撑区域的外侧；及内周区域，位于支撑区域的内侧。外周区域具有其厚度较内周区域向上方方向突出的凸部或其厚度较内周区域向下方方向凹陷的凹部。

关联申请案

本申请案享有以日本专利申请案2019-161278号(申请日：2019年9月4日)为基礎申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种半导体晶片、半导体晶片的制造方法及半导体装置的制造方法。

背景技术

在制造半导体装置时，对半导体晶片进行曝光、成膜、蚀刻等制程。此时，半导体晶片为了保持水平姿势而被以支撑在支撑部件的状态吸附。

当以由支撑部件支撑的状态吸附半导体晶片时，存在位于支撑区域的外侧的半导体晶片的外侧区域挠曲的情况。

发明内容

实施方式提供能够降低制程不良的半导体晶片、半导体晶片的制造方法及半导体装置的制造方法。

实施方式的半导体晶片包含：支撑区域，与支撑部件对向；外周区域，位于支撑区域的外侧；及内周区域，位于支撑区域的内侧。外周区域具有其厚度较内周区域向上方方向突出的凸部或其厚度较内周区域向下方方向凹陷的凹部。

附图说明

图1是第1实施方式的半导体晶片的俯视图。

图2是沿着图1所示的切断线A-A的截面图。

图3是表示支撑部件的变化例的俯视图。

图4(a)是用以对半导体晶片的制造方法进行说明的图。

图4(b)是用以对半导体晶片的制造方法进行说明的图。

图5是对半导体晶片进行曝光的基板处理装置的概略图。

图6是表示半导体晶片的曝光图案区域的俯视图。

图7是第1实施方式的变化例的半导体晶片的截面图。

图8是第1实施方式的另一变化例的半导体晶片的截面图。

图9是对半导体晶片进行成膜或蚀刻的基板处理装置的概略图。

图10是第2实施方式的半导体晶片的俯视图。

图11是沿着图10所示的切断线B-B的截面图。

图12是第2实施方式的变化例的半导体晶片的截面图。

图13是第2实施方式的另一变化例的半导体晶片的截面图。

具体实施方式

以下，参照图式对实施方式进行说明。另外，实施方式并非限定本发明。

(第1实施方式)

图1是第1实施方式的半导体晶片的俯视图。图2是沿着图1所示的切断线A-A的截面图。图3是表示支撑部件的变化例的俯视图。

本实施方式的半导体晶片1具备第1面10及第2面20。在第1面10进行曝光、成膜、蚀刻等制程。第2面20如图2所示与支撑部件2接触。此外，第1面10及第2面20包含支撑区域R1、外周区域R2、及内周区域R3。

支撑部件2为沿着半导体晶片1的圆周方向连续性地包围内周区域R3的环状。另外，支撑部件2如图3所示为以沿着圆周方向断续性地包围内周区域R3的方式散布的销形状。