[发明专利]半导体晶片、半导体晶片的制造方法及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202010089072.3 | 申请日： | 2020-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN112447825A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 小池貴;高桑真步 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/027;H01L21/205;H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 制造 方法 装置 | ||
1.一种半导体晶片，包含：支撑区域，与支撑部件对向；外周区域，位于所述支撑区域的外侧；及内周区域，位于所述支撑区域的内侧；且
所述外周区域具有其厚度较所述内周区域向上方方向突出的凸部或其厚度相对于所述内周区域向下方方向凹陷的凹部。
2.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中
所述支撑区域的形状为双层环状，且
进而包含由所述支撑区域夹隔的中间区域，
所述凸部或所述凹部设置在所述中间区域而代替设置在所述外周区域。
3.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中
所述凸部的厚度较所述内周区域的厚度厚10nm以上且10μm以下。
4.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中
所述外周区域是相对于所述半导体晶片的半径R而较0.9R更外侧的区域。
5.一种半导体晶片的制造方法，该半导体晶片包含：支撑区域，与支撑部件对向；外周区域，位于所述支撑区域的外侧；及内周区域，位于所述支撑区域的内侧；且
在所述外周区域形成其厚度较所述内周区域向上方方向突出的凸部或其厚度相对于所述内周区域向下方方向凹陷的凹部。
6.一种半导体装置的制造方法，将在外周区域形成有其厚度相对于内周区域向上方方向突出的凸部或其厚度相对于所述内周区域向下方方向凹陷的凹部的半导体晶片，以配置在所述外周区域与所述内周区域之间的支撑部件支撑，
对由所述支撑部件支撑的所述半导体晶片的单面进行处理。
7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中
将所述半导体晶片的所述单面分为多个曝光图案区域进行曝光处理。
8.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中
以在所述半导体晶片的所述单面的上方产生等离子体的状态，向所述单面喷出成膜用气体或蚀刻气体。
9.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中
所述支撑部件是沿着所述半导体晶片的圆周方向连续性地包围所述内周区域的环状。
10.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中
所述支撑部件是以沿着所述半导体晶片的圆周方向断续性地包围所述内周区域的方式散布的销形状。
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