[发明专利]一种半导体模块及其制备方法有效
申请号: | 202010087329.1 | 申请日: | 2020-02-11 |
公开(公告)号: | CN111261534B | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 张正 | 申请(专利权)人: | 中义(杭州)医药科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/67;H01L23/31 |
代理公司: | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人: | 杜丹盛 |
地址: | 311200 浙江省杭州市萧山区*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 模块 及其 制备 方法 | ||
本发明涉及一种半导体模块及其制备方法,该方法包括以下步骤:提供一承载基板、在所述承载基板的第一表面上形成介电层、接着在所述介电层上形成布线结构、接着在所述布线结构上设置半导体芯片以及电性引脚;接着依次形成第一封装胶层、第二封装胶层、第二封装胶层、第四封装胶层、第五封装胶层。同时调整第二、第三、第四、第五封装胶层的具体处理工艺,使得本发明的半导体模块的封装胶体具有优异的致密性和稳定性,有效防止水汽入侵,使用寿命长。
技术领域
本发明涉及半导体封装技术领域,特别是涉及一种半导体模块及其制备方法。
背景技术
随着科学技术的不断发展,越来越多的电子设备被广泛的应用于人们的日常生活以及工作当中,为人们的日常生活及工作带来了巨大的便利,成为人们不可或缺的重要工具。而半导体封装结构则是电子设备的基本组成单元,如何提高半导体封装结构的密封稳定性,进而提高电子设备的使用寿命,这是业界广泛关注的问题。
发明内容
本发明的目的是克服上述现有技术的不足,提供一种半导体模块及其制备方法。
为实现上述目的,本发明提出的一种半导体模块的制备方法,包括以下步骤:
1)提供一承载基板,所述承载基板具有相对的第一表面和第二表面;
2)在所述承载基板的第一表面上形成介电层;
3)接着在所述介电层上形成布线结构;
4)接着在所述布线结构上设置半导体芯片以及电性引脚;
5)接着将设置有半导体芯片、电性引脚、布线结构以及介电层的所述承载基板置于第一注塑模具中,注入一定量的第一树脂材料,以形成第一封装胶层,所述第一封装胶层完全包裹所述承载基板、半导体芯片、布线结构以及介电层,所述电性引脚的一部分从所述第一封装胶层延伸出来,接着置于密封的第一腔室中进行第一次热处理;
6)接着置于第二注塑模具中,注入一定量的第二树脂材料,以形成第二封装胶层,所述第二封装胶层完全包裹所述第一封装胶层,所述电性引脚的一部分从所述第二封装胶层延伸出来,接着置于密封的第二腔室中进行第二次热处理;
7)接着置于第三注塑模具中,注入一定量的第三树脂材料,以形成第三封装胶层,所述第三封装胶层完全包裹所述第二封装胶层,所述电性引脚的一部分从所述第三封装胶层延伸出来,接着置于密封的第三腔室中进行第三次热处理;
8)接着置于第四注塑模具中,注入一定量的第四树脂材料,以形成第四封装胶层,所述第四封装胶层完全包裹所述第三封装胶层,所述电性引脚的一部分从所述第四封装胶层延伸出来,接着置于密封的第四腔室中进行第四次热处理;
9)接着置于第五注塑模具中,注入一定量的第五树脂材料,以形成第五封装胶层,所述第五封装胶层完全包裹所述第四封装胶层,所述电性引脚的一部分从所述第五封装胶层延伸出来,接着置于密封的第五腔室中进行第五次热处理。
作为优选,在所述步骤2)中,所述介电层为氧化铝、氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮化铝中的一种或多种,所述介电层的厚度为100-200微米。
作为优选,所述步骤3)中,在所述介电层上形成布线结构的具体工艺为:在所述介电层上沉积导电金属层,然后通过光刻工艺形成所述布线结构。
作为优选,所述步骤5)中,置于密封的第一腔室中进行第一次热处理的具体工艺为:首先在所述第一腔室中的压强为10-2Pa-10Pa的条件下,在120-140℃条件下热处理10-20分钟,接着将所述第一腔室中的压强升至1.2×105Pa-1.5×105Pa,接着在120-140℃条件下热处理5-10分钟,接着升温至170-190℃,并在170-190℃条件下热处理30-60分钟。
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