[发明专利]半导体结构及其制备方法

说明书

本发明提供一种半导体结构及其制备方法，包括如下步骤：形成第一材料层，第一材料层的表面形成有第一凸起缺陷；于第一材料层的表面形成第二材料层，第二材料层包括含氢离子的碳层或采用旋涂工艺形成的异位杂化碳层；第二材料层覆盖第一材料层形成有第一凸起缺陷的表面，且第二材料层远离第一材料层的表面为平面。本发明在具有凸起缺陷的材料层表面形成含氢离子的碳层或采用旋涂工艺形成的异位杂化碳层，可以消除凸起缺陷的影响，得到表面为平面的含氢离子的碳层，无需额外去除凸起缺陷的步骤，简化了工艺步骤，延迟了工艺腔室维护的间隔时间，提高了生产效率，降低了生产成本。

技术领域

本发明属于集成电路设计及制造技术领域，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。

背景技术

在现有半导体工艺中，碳层是硬掩膜层关键的候选材料，然而，硬掩膜层及碳层总会遭受凸起缺陷的影响，即在硬掩膜层下方的材料层表面存在凸起缺陷时，硬掩膜层及碳层会形成有对应的凸起缺陷，而硬掩膜层及碳层存在凸起缺陷时，很容易在后续刻蚀(Etch)过程中对刻蚀工艺造成影响，使得得到的刻蚀结构的具有较差的轮廓结构。

为了解决上述问题，现有工艺中一般需要通过等离子体处理工艺去除硬掩膜层表面的凸起缺陷，或者在形成硬掩膜层之前对工艺腔室进行维护(PM)，以防止硬掩膜层表面形成凸起缺陷；然而，这都需要增肌额外的工艺步骤以确保硬掩膜层的表面没有凸起缺陷，这无疑会导致生产效率的降低及生产成本的增加。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种半导体结构及其制备方法，用于解决现有技术中的上述问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种半导体结构的制备方法，所述半导体结构的制备方法包括如下步骤：

形成第一材料层，所述第一材料层的表面形成有第一凸起缺陷；及

于所述第一材料层的表面形成第二材料层，所述第二材料层包括含氢离子的碳层或采用旋涂工艺形成的异位杂化碳层；所述第二材料层覆盖所述第一材料层形成有所述第一凸起缺陷的表面，且所述第二材料层远离所述第一材料层的表面为平面。

可选地，所述第二材料层为含氢离子的碳层时，采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成所述第二材料层。

可选地，采用原位生长工艺形成所述第二材料层。

可选地，形成所述第一材料层之前还包括提供衬底，第一材料层形成于所述衬底的表面。

可选地，形成所述第二材料层之后还包括如下步骤：

于所述第二材料层的表面形成第三材料层，所述第三材料层的表面形成有第二凸起缺陷；及

于所述第三材料层的表面形成第四材料层，所述第四材料层包括含氢离子的碳层或采用旋涂工艺形成的异位杂化碳层；所述第四材料层覆盖所述第三材料层形成有所述第二凸起缺陷的表面，且所述第四材料层远离所述第三材料层的表面为平面。

可选地，形成所述第四材料层之后还包括于所述第四材料层的表面形成第五材料层的步骤，所述第五材料层包括氮氧化硅层或抗反射涂层。

本发明还提供一种半导体结构，所述半导体结构包括：

第一材料层，所述第一材料层的表面形成有第一凸起缺陷；及

第二材料层，覆盖所述第一材料层形成有所述第一凸起缺陷的表面，且所述第二材料层远离所述第一材料层的表面为平面；所述第二材料层包括含氢离子的碳层或采用旋涂工艺形成的异位杂化碳层。

可选地，还包括衬底，所述第一材料层位于所述衬底的表面，且所述第一材料层远离所述第二材料层的表面与所述衬底的表面相接触。

可选地，所述半导体结构包括硬掩膜结构。