[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

形成第一材料层，所述第一材料层的表面形成有第一凸起缺陷；及

于所述第一材料层的表面形成第二材料层，所述第二材料层包括含氢离子的碳层或采用旋涂工艺形成的异位杂化碳层；所述第二材料层覆盖所述第一材料层形成有所述第一凸起缺陷的表面，且所述第二材料层远离所述第一材料层的表面为平面；

在所述第二材料层形成过程中，氢离子包围所述第一凸起缺陷，抑制第一凸起缺陷位置处所述第二材料层的生长，得到表面为平面的所述第二材料层。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述第二材料层为含氢离子的碳层时，采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成所述第二材料层。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，采用原位生长工艺形成所述第二材料层。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：形成所述第一材料层之前还包括提供衬底，第一材料层形成于所述衬底的表面。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：形成所述第二材料层之后还包括如下步骤：

于所述第二材料层的表面形成第三材料层，所述第三材料层的表面形成有第二凸起缺陷；及

于所述第三材料层的表面形成第四材料层，所述第四材料层包括含氢离子的碳层或采用旋涂工艺形成的异位杂化碳层；所述第四材料层覆盖所述第三材料层形成有所述第二凸起缺陷的表面，且所述第四材料层远离所述第三材料层的表面为平面。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述第四材料层之后还包括于所述第四材料层的表面形成第五材料层的步骤，所述第五材料层包括氮氧化硅层或抗反射涂层。

7.一种半导体结构，其特征在于，包括：

第一材料层，所述第一材料层的表面形成有第一凸起缺陷；及

第二材料层，覆盖所述第一材料层形成有所述第一凸起缺陷的表面，且所述第二材料层远离所述第一材料层的表面为平面；所述第二材料层包括含氢离子的碳层或采用旋涂工艺形成的异位杂化碳层；

在所述第二材料层形成过程中，氢离子包围所述第一凸起缺陷，抑制第一凸起缺陷位置处所述第二材料层的生长，得到表面为平面的所述第二材料层。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于：还包括衬底，所述第一材料层位于所述衬底的表面，且所述第一材料层远离所述第二材料层的表面与所述衬底的表面相接触。

9.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于：所述半导体结构包括硬掩膜结构。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的半导体结构，其特征在于：所述半导体结构还包括：

第三材料层，位于所述第二材料层远离第一材料层的表面，所述第三材料层的表面形成有第二凸起缺陷；及

第四材料层，位于覆盖所述第三材料层形成有所述第二凸起缺陷的表面，且所述第四材料层远离所述第三材料层的表面为平面；所述第四材料层包括含氢离子的碳层或采用旋涂工艺形成的异位杂化碳层。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于：还包括第五材料层，所述第五材料层包括氮氧化硅层或抗反射涂层。