[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

积层体，在第1方向上积层有导电层；

第1群的多个柱状体，在所述积层体内沿所述第1方向延伸，且在与所述导电层的交叉部分分别形成有存储单元晶体管；

第2群的多个柱状体，相对于所述第1群的多个柱状体配置在与所述第1方向交叉的第2方向上，且分别包含绝缘材料；及

绝缘膜，在所述积层体内以所述第1方向及所述第2方向延伸，在与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上分隔所述积层体，且包含在所述第3方向上与所述第1群的多个柱状体相邻的第1部分、在所述第3方向上与所述第2群的多个柱状体相邻的第2部分、及所述第1部分与所述第2部分之间的第3部分，且在所述第3部分具有从所述第3方向的至少一侧面突出的第1凸部。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第1群的多个柱状体在所述第2方向上以第1间隔配置，且

所述第2群的多个柱状体在所述第2方向上以大于所述第1间隔的第1距离，与所述第1群的多个柱状体分离。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述侧面具有沿着所述第2方向的第1侧面、及位于与所述第1侧面的相反侧的第2侧面，且

所述第1凸部在包含所述第2方向及所述第3方向的截面中，从所述第1侧面与所述第2侧面中的至少一个侧面以所述第3方向突出。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

相对于第1群的柱状体，在所述第3方向上存在多个第3群柱状体，且

所述第1群柱状体在所述第3方向上以第2间隔排列，

所述第3群柱状体在所述第3方向上与所述第1群的柱状体以大于所述第2间隔的第2距离分离，

所述绝缘膜位于所述第1群柱状体与所述第3群柱状体之间。

5.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中

所述绝缘膜的所述第1侧面与所述第2侧面中的至少一个侧面在所述第2方向上与所述第1群的多个柱状体和所述第2群的多个柱状体之间的区域相邻的位置，具有以与所述第1凸部相同的方向突出的第2凸部。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第1群的多个柱状体包含第1柱状体，

所述第2群的多个柱状体包含第2柱状体，且

所述第2柱状体的所述第2方向的宽度大于所述第1柱状体的所述第2方向的宽度。

7.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中

所述第1凸部位于较所述第2群的多个柱状体更靠近所述第1群的多个柱状体，所述第2凸部位于较所述第1群的多个柱状体更靠近所述第2群的多个柱状体，且

所述第2凸部的所述第2方向的突出量大于所述第1凸部的所述第2方向的突出量。

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述绝缘膜的所述第1部分具有多个第3凸部，且

所述多个第3凸部分别从所述侧面以所述第3方向突出。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中

所述多个第3凸部分别在所述第2方向上以等间隔配置。

10.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述绝缘膜的所述第2部分具有多个第4凸部，且

所述多个第4凸部分别从所述侧面以所述第3方向突出。

11.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其中

所述多个第4凸部在所述第1方向上以等间隔配置。

12.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其更具备在所述第1方向上与所述绝缘膜相邻设置的第1半导体部，且

所述绝缘膜的第3部分具有相对于所述第1凸部在第3方向上排列的指定部分，所述第1半导体部在所述第1方向上与所述指定部分的至少一部分重叠。