[发明专利]一种功率半导体芯片及其制备方法在审

申请号：	202010060417.2	申请日：	2020-01-19
公开（公告）号：	CN113140456A	公开（公告）日：	2021-07-20
发明（设计）人：	刘勇强;曾丹;江伟;敖利波;史波	申请（专利权）人：	珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司
主分类号：	H01L21/3205	分类号：	H01L21/3205;H01L21/321;H01L29/739
代理公司：	北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662	代理人：	张丽颖;李雪
地址：	519070***	国省代码：	广东;44
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摘要：
搜索关键词：	一种功率半导体芯片及其制备方法
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【说明书】：

涉及半导体技术领域，本申请提供一种功率半导体芯片及其制备方法，所述一种功率半导体芯片制备方法，包括：在半导体基材正面形成第一金属层，在所述第一金属层上形成金属连接层，回刻平坦化处理所述金属连接层，在所述金属连接层上形成第二金属层，对得到的所述半导体正面金属做金属合金成型处理，本申请还包括所述功率半导体芯片制备方法制备的半导体芯片。相较于现有技术，本申请的技术方案可改善现有技术中半导体器件或芯片正面金属层凹凸不平导致与引线连接时的正面金属层脱落现象，同时改进传统和结构中半导体器件或芯片正面金属层凹凸不平导致性差异，进而提高半导体整体性能的可靠性。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种功率半导体芯片及其制备方法。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，即绝缘栅双极型晶体管，作为弱电控制强电的核心半导体器件广泛应用于工业、4C(通信、计算机、消费电子、汽车电子)、家电等产业领域。IGBT芯片结构复杂，制作过程复杂，设计难度大，在设计以及制作中稍有不当，即会导致IGBT无法正常使用，IGBT的正面金属与封装关系很大，如果正面金属与金属层下方材料粘附不好，在封装时容易造成打线脱落，铝线会带起正面金属层一起脱落，除此之外，如果正面金属层厚度不均匀，存在空洞之类的情况，其与金属打线的连接也会不好，同样会影响IGBT的性能以及导致IGBT更易损坏。

发明内容

为了解决现有技术问题由于半导体器件或芯片正面金属层厚度不均匀，导致的封装时正面金属层脱落的问题，本申请提供了一种功率半导体芯片及其制备方法。

第一方面本申请提供了一种功率半导体芯片制备方法，

一种功率半导体芯片制备方法，包括：

在半导体基材形成第一金属层；

在所述第一金属层上形成金属连接层；

回刻平坦化处理所述金属连接层；

在所述金属连接层上形成第二金属层；

对得到的所述半导体正面金属做金属合金成型处理。

进一步地，所述回刻平坦化处理所述金属连接层，包括：

以使所述金属连接层表面的粗糙度达到预设的粗糙度阈值，所述粗糙度阈值对应的范围包括：0.1～0.3um。

进一步地，在所述第一金属层上形成金属连接层，包括：在所述第一金属层上采用金属沉积工艺形成金属连接层，所述金属连接层作为中间处理层，需要具有良好的导电性能及粘结性，以便于在不降低半导体整体性能的同时很好地粘结所述第二金属层。