[发明专利]一种功率半导体芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202010060417.2 | 申请日： | 2020-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN113140456A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 刘勇强;曾丹;江伟;敖利波;史波 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/321;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人： | 张丽颖;李雪 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体 芯片 及其 制备 方法 | ||
1.一种功率半导体芯片制备方法，其特征在于，包括：
在半导体基材(1)形成第一金属层(2)；
在所述第一金属层(2)上形成金属连接层(3)；
回刻平坦化处理所述金属连接层(3)；
在所述金属连接层(3)上形成第二金属层(4)；
对得到的所述半导体正面金属做金属合金成型处理。
2.根据权利要求1所述的一种功率半导体芯片制备方法，其特征在于，所述回刻平坦化处理所述金属连接层(3)，包括：
以使所述金属连接层(3)表面的粗糙度达到预设的粗糙度阈值，所述粗糙度阈值对应的范围包括：0.1～0.3um。
3.根据权利要求1所述的一种功率半导体芯片制备方法，其特征在于，在所述第一金属层(2)上形成金属连接层(3)，包括：在所述第一金属层(2)上采用金属沉积工艺形成金属连接层(3)。
4.根据权利要求1所述的一种功率半导体芯片制备方法，其特征在于，所述第一金属层(2)及所述第二金属层(4)均为铝金属层。
5.根据权利要求1所述的一种功率半导体芯片制备方法，其特征在于，所述回刻平坦化处理所述金属连接层(3)，所述金属连接层(3)的初始厚度与所述第一金属层厚度相同，其中回刻所述金属连接层(3)一半的厚度。
6.根据权利要求1所述的一种功率半导体芯片制备方法，其特征在于，所述回刻平坦化处理所述金属连接层(3)，其中所述回刻平坦化处理为高密度等离子体刻蚀。
7.根据权利要求1所述的一种功率半导体芯片制备方法，其特征在于，所述金属合金成型处理为将所述功率半导体芯片进行无压烧结，所述无压烧结温度设置为350～400℃。
8.根据权利要求1所述的一种功率半导体芯片制备方法，其特征在于，所述金属连接层(3)为钛金属层。
9.一种功率半导体芯片，其特征在于，包括半导体基材(1)、第一金属层(2)、金属连接层(3)以及第二金属层(4)；
所述第一金属层(2)连接于半导体基材(1)正面；
所述金属连接层(3)连接于所述第一金属层(2)上；
所述第二金属层(4)连接于所述金属连接层(3)上；
所述金属连接层(3)包括回刻平坦化处理的连接面，所述连接面位于所述金属连接层(3)与所述第二金属层(4)之间。
10.如权利要求9所述的功率半导体芯片，其特征在于，所述金属连接层(3)表面的粗糙度范围包括：0.1～0.3um。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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