[发明专利]高频半导体放大器有效
| 申请号： | 201980094252.6 | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN113574797B | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木善伸 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H03F3/193 | 分类号： | H03F3/193;H01L21/822;H01L21/8234;H01L27/04;H01L27/06;H03F3/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张青;卢英日 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高频 半导体 放大器 | ||
【权利要求书】：
1.一种高频半导体放大器，
所述高频半导体放大器具备：
晶体管，其形成于半导体基板上，具有栅极电极、源极电极以及漏极电极；
所述晶体管的输入侧基波匹配用的匹配电路；
第一电感器，其形成于所述半导体基板上，一端与所述晶体管的栅极电极连接，另一端与所述匹配电路连接；
电容，其形成于所述半导体基板上，一端短路；以及
第二电感器，其形成于所述半导体基板上，一端与所述晶体管的栅极电极连接，另一端与所述电容的另一端连接，
其特征在于，
所述第二电感器在二倍波的频率下与所述电容串联谐振，且与所述第一电感器呈现减极性的互感，并与所述第一电感器形成输入侧二倍波匹配用互感电路。
2.根据权利要求1所述的高频半导体放大器，其特征在于，
所述输入侧二倍波匹配用互感电路配置为相对于沿所述栅极的宽度方向延伸的直线线对称，并相互连接。
3.根据权利要求1或2所述的高频半导体放大器，其特征在于，
所述晶体管为GaN系HEMT。
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