[发明专利]保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法

权利要求书

1.一种保护膜形成用复合片，其为具备支撑片、与形成在所述支撑片的一个面上的热固性保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片，其中，

在所述热固性保护膜形成用膜的加热固化前，所述保护膜形成用复合片中的、所述支撑片侧的最表层的表面电阻率为1.0×10¹¹Ω/口以下，

在所述热固性保护膜形成用膜的加热固化后，所述保护膜形成用复合片中的、所述支撑片侧的最表层的表面电阻率为1.0×10¹¹Ω/口以下。

2.根据权利要求1所述的保护膜形成用复合片，其中，所述支撑片具备基材与形成在所述基材的单面或双面上的抗静电层，或者，

所述支撑片具备具有抗静电性的基材作为抗静电层。

3.根据权利要求2所述的保护膜形成用复合片，其中，形成在所述基材的单面或双面上的抗静电层的厚度为100nm以下。

4.根据权利要求2或3所述的保护膜形成用复合片，其中，所述支撑片的总透光率为80％以上。

5.根据权利要求2～4中任一项所述的保护膜形成用复合片，其中，在具有面积为2cm×2cm且为平面状的按压面的按压工具的所述按压面上，覆盖法兰绒布，将覆盖有所述法兰绒布的所述按压面按压在所述抗静电层的表面上，在该状态下，一边利用所述按压工具对所述抗静电层施加125g/cm²的荷载而进行按压，一边使所述按压工具以10cm的直线距离往返运动10次，由此对所述抗静电层进行摩擦后，对所述抗静电层的该经摩擦的面中的面积为2cm×2cm的区域进行肉眼观察时，未观察到划痕。

6.一种半导体芯片的制造方法，其具有：

将权利要求1～5中任一项所述的保护膜形成用复合片中的热固性保护膜形成用膜贴附在半导体晶圆上的工序；

使已贴附在所述半导体晶圆上的所述热固性保护膜形成用膜热固化，从而形成保护膜的工序；

分割所述半导体晶圆，并将所述保护膜或热固性保护膜形成用膜切断，从而得到具备切断后的保护膜或热固性保护膜形成用膜的多个半导体芯片的工序；及

将具备所述切断后的保护膜或热固性保护膜形成用膜的半导体芯片从所述支撑片上分离并拾取的工序。