[发明专利]制造多个发射辐射的器件的方法、发射辐射的器件、制造连接载体的方法和连接载体

说明书

提出一种用于制造多个发射辐射的器件(12)的方法，所述方法包括以下步骤：‑提供具有多个连接载体(9)的复合结构(6)，其中‑每个连接载体(9)具有透光基质(7)，在所述透光基质中设置有贯通部(8)，贯通部从连接载体(9)的第一主面贯通地延伸到连接载体(9)的第二主面，并且‑连接载体(9)通过框架(4)彼此间隔开，所述框架环绕每个连接载体(9)，‑在两个贯通部(8)上设置发射辐射的半导体芯片(11)，并且‑通过完全或部分地去除框架(4)来分割器件(12)。此外，提出一种发射辐射的器件、一种用于制造连接载体的方法以及一种连接载体。

技术领域

提出一种用于制造多个发射辐射的器件的方法和一种发射辐射的器件。此外，提出一种用于制造连接载体的方法和一种连接载体。

要提出一种改进的连接载体和具有改进的连接载体的发射辐射的器件。此外，要提出一种简化的用于制造连接载体的方法以及一种简化的用于制造具有连接载体的发射辐射的器件的方法。

发明内容

所述目的通过具有权利要求1的步骤的方法、具有权利要求8的步骤的方法、具有权利要求9的特征的连接载体以及具有权利要求10的特征的发射辐射的器件来实现。

这两种方法、连接载体和发射辐射的器件的有利的设计方案和改进方案是相应从属权利要求的主题。

根据用于制造多个发射辐射的器件的方法的一个实施方式，提供一种具有多个连接载体的复合结构。

优选地，每个连接载体具有透光基质。透光基质尤其优选对于可见光是可透过的。在这种情况下，透光基质优选透射可见光的85％并且特别优选透射至少95％。透光基质优选具有玻璃或由玻璃形成。

在每个连接载体的透光基质中，优选设置贯通部，所述贯通部从连接载体的第一主面贯通地延伸到连接载体的第二主面。换言之，贯通部特别优选完全地穿过透光基质。优选地，贯通部在连接载体的第一主面和/或第二主面上在横向方向上未被基质覆盖。特别优选地，基质的热膨胀系数匹配于贯通部的热膨胀系数。

贯通部能够具有不同的几何形状。尤其是，贯通部的横截面不一定必须圆环地或圆形地构成。在这种情况下，贯通部的侧壁能够垂直于连接载体的主面。此外也可行的是，侧壁也能够与连接载体的主面成不同于90°的角度。例如，贯通部具有锥形形状。

根据另一实施方式，连接载体通过框架彼此间隔开。在这种情况下，框架特别优选完全环绕每个连接载体。特别优选地，每个连接载体由一个框架环绕。特别优选地，紧邻的连接载体的框架彼此紧邻。例如，紧邻的连接载体的框架一件式地构成在复合结构中。优选地，框架由与贯通部相同的材料形成。

根据一个实施方式，复合结构由多个连接载体和多个框架形成，其中优选地，每个连接载体由一个框架环绕。

特别优选地，贯通部构成为是导电的。例如，贯通部和/或框架具有半导体材料。特别优选地，贯通部和/或框架具有硅。半导体材料，例如硅，特别优选是高度n型掺杂的或高度p型掺杂的。优选地，贯通部设置用于，与发射辐射的半导体芯片电接触。这尤其通过高掺杂的半导体材料，例如高掺杂的硅实现。

根据所述方法的另一实施方式，发射辐射的半导体芯片设置在两个贯通部上。特别优选地，发射辐射的半导体芯片与这两个贯通部导电连接。

此外也可行的是，发射辐射的半导体芯片仅设置在一个贯通部上或不设置在贯通部上。在这种情况下，发射辐射的半导体芯片与贯通部的电连接能够经由金属层产生。

例如，发射辐射的半导体芯片是发光二极管或表面发射的VCSEL(英语“verticalcavity surface emitting laser(垂直腔面发射激光器)”的缩写)。发射辐射的半导体芯片特别优选发射可见光，例如红光、绿光、紫外光和/或蓝光。此外也可行的是，发射辐射的半导体芯片发射红外光。除了发射辐射的半导体芯片之外，也能够在所述器件中使用用作为传感器的电子半导体芯片。传感器能够是光电二极管、相机或温度传感器。