[发明专利]制造多个发射辐射的器件的方法、发射辐射的器件、制造连接载体的方法和连接载体在审

专利信息
申请号: 201980074804.7 申请日: 2019-11-11
公开(公告)号: CN113039871A 公开(公告)日: 2021-06-25
发明(设计)人: 塞巴斯蒂安·维特曼;科比尼安·佩尔茨尔迈尔 申请(专利权)人: 欧司朗光电半导体有限公司
主分类号: H05K3/00 分类号: H05K3/00;H05K1/03;H05K1/18;H01L33/48;H05K3/40
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 张春水;周涛
地址: 德国雷*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 制造 发射 辐射 器件 方法 连接 载体
【权利要求书】:

1.一种用于制造多个发射辐射的器件(12)的方法,所述方法具有以下步骤:

-提供具有多个连接载体(9)的复合结构(6),其中

-每个连接载体(9)具有透光基质(7),在所述透光基质(7)中设置有贯通部(8),所述贯通部(8)从所述连接载体(9)的第一主面贯通地延伸到所述连接载体(9)的第二主面,和

-所述连接载体(9)通过框架(4)彼此间隔开,所述框架(4)环绕每个连接载体(9),

-在两个贯通部(8)上设置发射辐射的半导体芯片(11),并且

-通过完全或部分地去除所述框架(4)来分割所述器件(12)。

2.根据上一项权利要求所述的方法,

其中提供所述复合结构(6)包括以下步骤:

-提供半导体晶片(1),

-从第一主面起将所述半导体晶片(1)结构化成拥有凹部(2),其中在所述凹部(2)中设置有柱体(3),并且

-通过熔化玻璃晶片(5)用玻璃填充所述凹部(2),使得产生所述复合结构(6)。

3.根据上一项权利要求所述的方法,

其中将所述复合结构(6)减薄,使得产生多个连接载体(9)。

4.根据上一项权利要求所述的方法,

其中将电连接部位(10)设置在所述贯通部(8)上。

5.根据上述权利要求中任一项所述的方法,

其中通过蚀刻将框架(4)完全或部分地去除。

6.根据上述权利要求中任一项所述的方法,其中,

-在蚀刻之前,将电连接部位(10)设置在所述贯通部(8)上,

-借助于气体或液体通过各向同性蚀刻将所述框架(4)完全或部分地去除,其中不使用附加的光刻掩模;并且

-所述连接载体(9)的侧面完全由所述基质(7)形成。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的方法,其中

-利用掩模通过各向异性蚀刻将框架(4)完全或部分地去除,并且

-所述贯通部(8)部分地构成所述连接载体(9)的侧面。

8.一种用于制造多个在空间上彼此分开的连接载体(9)的方法,所述方法具有以下步骤:

-提供具有多个连接载体(9)的复合结构(6),其中

-每个连接载体(9)具有透光基质(7),在所述透光基质(7)中设置有贯通部(8),所述贯通部(8)从所述连接载体(9)的第一主面贯通地延伸到所述连接载体(9)的第二主面,并且

-所述连接载体(9)通过所述框架(4)彼此间隔开,所述框架(4)完全地环绕每个连接载体(9),

-通过完全或部分地去除所述框架(4)来分割所述连接载体(9)。

9.一种具有透光基质(7)的连接载体(9),在所述基质中设置有贯通部(8),所述贯通部(8)从所述连接载体(9)的第一主面贯通地延伸到所述连接载体(9)的第二主面,其中所述连接载体(9)的侧面通过所述基质(7)和所述贯通部(8)形成。

10.一种发射辐射的器件(12),具有:

-连接载体(9),所述连接载体(9)具有透光基质(7),在所述透光基质(7)中设置有贯通部(8),所述贯通部(8)从所述连接载体(9)的第一主面贯通地延伸到所述连接载体(9)的第二主面,其中所述连接载体(9)的侧面由所述基质(7)和所述贯通部(8)形成,和

-至少一个发射辐射的半导体芯片(11)。

11.根据上一项权利要求所述的发射辐射的器件(12),

所述器件在所述连接载体(9)上具有至少一个发射红色光的半导体芯片(11R),至少一个发射绿色光的半导体芯片(11G)和至少一个发射蓝色光的半导体芯片(11B)。

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