[发明专利]制造多个发射辐射的器件的方法、发射辐射的器件、制造连接载体的方法和连接载体在审
| 申请号: | 201980074804.7 | 申请日: | 2019-11-11 |
| 公开(公告)号: | CN113039871A | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
| 发明(设计)人: | 塞巴斯蒂安·维特曼;科比尼安·佩尔茨尔迈尔 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号: | H05K3/00 | 分类号: | H05K3/00;H05K1/03;H05K1/18;H01L33/48;H05K3/40 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张春水;周涛 |
| 地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 制造 发射 辐射 器件 方法 连接 载体 | ||
1.一种用于制造多个发射辐射的器件(12)的方法,所述方法具有以下步骤:
-提供具有多个连接载体(9)的复合结构(6),其中
-每个连接载体(9)具有透光基质(7),在所述透光基质(7)中设置有贯通部(8),所述贯通部(8)从所述连接载体(9)的第一主面贯通地延伸到所述连接载体(9)的第二主面,和
-所述连接载体(9)通过框架(4)彼此间隔开,所述框架(4)环绕每个连接载体(9),
-在两个贯通部(8)上设置发射辐射的半导体芯片(11),并且
-通过完全或部分地去除所述框架(4)来分割所述器件(12)。
2.根据上一项权利要求所述的方法,
其中提供所述复合结构(6)包括以下步骤:
-提供半导体晶片(1),
-从第一主面起将所述半导体晶片(1)结构化成拥有凹部(2),其中在所述凹部(2)中设置有柱体(3),并且
-通过熔化玻璃晶片(5)用玻璃填充所述凹部(2),使得产生所述复合结构(6)。
3.根据上一项权利要求所述的方法,
其中将所述复合结构(6)减薄,使得产生多个连接载体(9)。
4.根据上一项权利要求所述的方法,
其中将电连接部位(10)设置在所述贯通部(8)上。
5.根据上述权利要求中任一项所述的方法,
其中通过蚀刻将框架(4)完全或部分地去除。
6.根据上述权利要求中任一项所述的方法,其中,
-在蚀刻之前,将电连接部位(10)设置在所述贯通部(8)上,
-借助于气体或液体通过各向同性蚀刻将所述框架(4)完全或部分地去除,其中不使用附加的光刻掩模;并且
-所述连接载体(9)的侧面完全由所述基质(7)形成。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的方法,其中
-利用掩模通过各向异性蚀刻将框架(4)完全或部分地去除,并且
-所述贯通部(8)部分地构成所述连接载体(9)的侧面。
8.一种用于制造多个在空间上彼此分开的连接载体(9)的方法,所述方法具有以下步骤:
-提供具有多个连接载体(9)的复合结构(6),其中
-每个连接载体(9)具有透光基质(7),在所述透光基质(7)中设置有贯通部(8),所述贯通部(8)从所述连接载体(9)的第一主面贯通地延伸到所述连接载体(9)的第二主面,并且
-所述连接载体(9)通过所述框架(4)彼此间隔开,所述框架(4)完全地环绕每个连接载体(9),
-通过完全或部分地去除所述框架(4)来分割所述连接载体(9)。
9.一种具有透光基质(7)的连接载体(9),在所述基质中设置有贯通部(8),所述贯通部(8)从所述连接载体(9)的第一主面贯通地延伸到所述连接载体(9)的第二主面,其中所述连接载体(9)的侧面通过所述基质(7)和所述贯通部(8)形成。
10.一种发射辐射的器件(12),具有:
-连接载体(9),所述连接载体(9)具有透光基质(7),在所述透光基质(7)中设置有贯通部(8),所述贯通部(8)从所述连接载体(9)的第一主面贯通地延伸到所述连接载体(9)的第二主面,其中所述连接载体(9)的侧面由所述基质(7)和所述贯通部(8)形成,和
-至少一个发射辐射的半导体芯片(11)。
11.根据上一项权利要求所述的发射辐射的器件(12),
所述器件在所述连接载体(9)上具有至少一个发射红色光的半导体芯片(11R),至少一个发射绿色光的半导体芯片(11G)和至少一个发射蓝色光的半导体芯片(11B)。
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