[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体元件，其具有在第一方向上互相朝向相反侧的元件主面及元件背面，且在上述元件主面形成有主面电极，在上述元件背面形成有背面电极；

第一电极部件，其具有与上述元件背面对置的第一主面，且与上述背面电极导通接合；

第二电极部件，其具有朝向与上述第一主面相同的方向的第二主面，且在与上述第一方向正交的第二方向上与上述第一电极部件分离配置；以及

连接部件，其沿上述第二方向延伸，且将上述主面电极和上述第二电极部件导通连接，

上述连接部件配置于比上述第二主面靠上述第二主面朝向的方向，且经由导电性接合层与上述主面电极接合，

沿上述第二方向观察，上述第一电极部件、上述半导体元件以及上述导电性接合层与上述第二电极部件重叠。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

还具备绝缘部件，该绝缘部件具有朝向与上述元件主面相同的方向的绝缘部件主面，且在上述绝缘部件主面朝向的方向侧支撑上述第一电极部件及上述第二电极部件。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

上述第一电极部件是经由第一接合材接合于上述绝缘部件之上的第一导电性基板，

上述第二电极部件是经由第二接合材接合于上述绝缘部件之上的第二导电性基板。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

还具备分别形成于上述绝缘部件主面之上且互相分离配置的第一主面金属层及第二主面金属层，

上述第一电极部件是经由第一接合材接合于上述第一主面金属层之上的第一导电性基板，

上述第二电极部件是经由第二接合材接合于上述第二主面金属层之上的第二导电性基板。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

上述第二导电性基板的上述第一方向的尺寸比上述第一导电性基板的上述第一方向的尺寸大。

6.根据权利要求3～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述第一导电性基板是铜基板，或者是石墨基板和在该石墨基板的上述第一方向上的两面的铜材形成的复合基板。

7.根据权利要求3～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述第二导电性基板是铜基板，或者是石墨基板和在该石墨基板的上述第一方向上的两面的铜材形成的复合基板。

8.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

上述第一电极部件是形成于上述绝缘部件主面之上的第一主面金属层，

上述第二电极部件是形成于上述绝缘部件主面之上且从上述第一主面金属层分离配置的第二主面金属层。

9.根据权利要求4或8所述的半导体装置，其特征在于，

上述第二主面金属层的上述第一方向的尺寸比上述第一主面金属层的上述第一方向的尺寸大。

10.根据权利要求3～9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述绝缘部件包括互相分离的第一绝缘基板及第二绝缘基板，

沿上述第一方向观察，上述第一电极部件与上述第一绝缘基板重叠且支撑于上述第一绝缘基板，

沿上述第一方向观察，上述第二电极部件与上述第二绝缘基板重叠且支撑于上述第二绝缘基板。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

沿上述第二方向观察，上述第一绝缘基板及上述第二绝缘基板重叠。

12.根据权利要求2～11中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述绝缘部件具有在上述第一方向上与上述绝缘部件主面朝向相反侧的绝缘基板背面，

还具备形成于上述绝缘基板背面的背面金属层。