[发明专利]薄膜形成方法

说明书

根据本发明的一实施例，一种薄膜形成方法，将被处理体装载至腔室内，将上述被处理体的温度控制为400℃以下，并向上述腔室内供应硅源气体和氧化气体，以在上述被处理体表面形成氧化硅膜，其特征在于，所述氧化气体在被供应至所述腔室内之前被加热至超过400℃的温度。

技术领域

本发明涉及一种薄膜形成方法，更地详细涉及一种能够在低温下形成薄膜的方法。

背景技术

近年来，对于在低温下形成的薄膜一直有需求，且在400℃以下的极低温下形成的薄膜已在研究中。特别是，欲提供一种能够通过其工艺相较于现有工艺改善薄膜的平均粗糙度的薄膜形成工艺。

发明内容

所要解决的课题

本发明的目的在于提供一种能够在低温下形成薄膜的方法。

本发明的另一目的在于提供一种能够改善薄膜的表面粗糙度薄膜形成方法。

本发明的其它目的将通过下面的详细说明和附图会变得更加清楚。

课题解决方案

依照本发明的一实施例，一种薄膜形成方法，将被处理体装载至腔室内，将上述被处理体的温度控制为400℃以下，并向上述腔室内供应硅源气体和氧化气体，以在上述被处理体表面形成氧化硅膜，其特征在于，所述氧化气体在被供应至所述腔室内之前被加热至超过400℃的温度。

上述氧化气体可在被热分解的状态下冷却到比上述被处理体的温度低的温度后，被供应到上述腔室内。

上述氧化气体可被加热至700-900℃。

上述氧化气体可为N₂O或O₂，且上述氧化气体供应至上述腔室内的流量可为3000-7000SCCM。

上述硅源气体可为硅烷或二硅烷，且上述氧化气体供应至上述腔室内的流量可为50-100SCCM。

上述腔室内部的压力可为25-150托(Torr)。

上述方法可进一步包括在上述该氧化硅膜的上部(upper portion)形成上部薄膜(upper thin film)的步骤，上述上部薄膜可为掺杂有硼(B)的非晶硅薄膜(amorphoussilicon thin film)、未掺杂的非晶硅薄膜及掺杂有磷(P)的非晶硅薄膜中任一种。

在上述氧化硅膜的厚度可为

上述方法可进一步包括在形成该氧化硅膜之前形成底层膜(underlayer)，并在上述底层膜上部形成上述氧化硅膜的步骤，上述底层膜可为热氧化膜、氮化硅膜及非晶碳膜中任一种。

依照本发明的一实施例，一种用于形成氧化硅膜的薄膜形成装置，包括：腔室，具有与外部相阻隔的内部空间，在上述内部空间内执行工序；基座(susceptor)，被设置于上述腔室内，在该基座上放置被处理体，且具有内置的加热器；硅源气体供应器，用于贮存硅源气体；氧化气体源供应器，用于贮存氧化气体；载体气体供应器，用于贮存载体气体；硅源供应线，连接于上述硅源气体供应器以供应上述硅源气体至上述腔室内；载体气体供应线，连接于上述载体气体供应器以供应该载体气体至上述腔室内；主供应线，以连接至上述腔室的状态连接于上述硅源供应线和上述载体气体供应线；氧化气体供应线，与上述主供应线连接而连接至上述氧化气体源供应器，以向上述腔室内供应上述氧化气体；及氧化气体加热器，设置于上述氧化气体供应线上，加热上述氧化气体至超过400℃的温度。

发明效果

根据本发明的一实施例，可在400℃以下温度形成薄膜。此外，薄膜的表面粗糙度可降低至低于1.0。

附图说明

图1为示意性地示出根据本发明的一实施例的薄膜形成装置的视图。