[发明专利]薄膜形成方法

权利要求书

1.一种薄膜形成方法，将被处理体装载至腔室内，将上述被处理体的温度控制为400℃以下，并向上述腔室内供应硅源气体和氧化气体，以在上述被处理体表面形成氧化硅膜，其特征在于，

所述氧化气体在被供应至所述腔室内之前被加热至超过400℃的温度而被热分解，在被热分解的状态下冷却到比上述被处理体的温度低的温度后，被供应到上述腔室内而形成上述氧化硅膜。

2.如权利要求1所述的薄膜形成方法，其特征在于，

上述氧化气体被加热至700-900℃。

3.如权利要求1所述的薄膜形成方法，其特征在于，

上述氧化气体为N₂O或O₂，且上述氧化气体供应至上述腔室内的流量为3000-7000SCCM。

4.如权利要求1所述的薄膜形成方法，其特征在于，

上述硅源气体为硅烷或二硅烷，且上述硅源气体供应至上述腔室内的流量为50-100SCCM。

5.如权利要求1所述的薄膜形成方法，其特征在于，

上述腔室内部的压力为25-150托。

6.如权利要求1所述的薄膜形成方法，其特征在于，

上述薄膜形成方法进一步包括在上述氧化硅膜的上部形成上部薄膜的步骤，

上述上部薄膜为掺杂有硼(B)的非晶硅薄膜、未掺杂的非晶硅薄膜及掺杂有磷(P)的非晶硅薄膜中任一种。

7.如权利要求6所述的薄膜形成方法，其特征在于，

上述氧化硅膜厚度为

8.如权利要求1所述的薄膜形成方法，其特征在于，

上述薄膜形成方法进一步包括：在形成上述氧化硅膜之前形成底层膜，并在上述底层膜上部形成上述氧化硅膜的步骤；

上述底层膜为热氧化膜、氮化硅膜及非晶碳膜中任一种。

9.一种用于形成氧化硅膜的薄膜形成装置，其特征在于，

包括：

腔室，具有与外部相阻隔的内部空间，在上述内部空间内执行工序；

基座，被设置于上述腔室内，在该基座上放置被处理体，且具有内置的加热器；

硅源气体供应器，用于贮存硅源气体；

氧化气体源供应器，用于贮存氧化气体；

载体气体供应器，用于贮存载体气体；

硅源供应线，连接于上述硅源气体供应器以供应上述硅源气体至上述腔室内；

载体气体供应线，连接于上述载体气体供应器以供应上述载体气体至上述腔室内；

主供应线，以连接至上述腔室的状态连接于上述硅源供应线和上述载体气体供应线；

氧化气体供应线，与上述主供应线连接而连接至上述氧化气体源供应器，以向上述腔室内供应上述氧化气体；及

氧化气体加热器，设置于上述氧化气体供应线上，加热上述氧化气体至超过400℃的温度以进行热分解，

上述氧化气体在沿着上述氧化气体供应线及上述主供应线移动的过程中，被冷却至比上述被处理体的温度低的温度后被供应到上述腔室内，以形成上树氧化硅膜。