[发明专利]碳化硅单晶及其制造方法

权利要求书

1.一种碳化硅单晶，其至少在外周部(H2)中，添加有具有铁以上的比重的重金属元素，所述重金属元素的添加密度成为1×10¹⁵cm^-3以上且5.0×10¹⁸cm^-3以下，进而，所述碳化硅单晶中添加有硼，所述硼的添加量为5.0×10¹⁵cm^-3以下。

2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶，其中，所述重金属元素的添加密度为1×10¹⁶cm^-3以上。

3.根据权利要求1所述的碳化硅单晶，其中，所述重金属元素为钽或铌。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的碳化硅单晶，其中，添加有氮，所述氮的添加密度被设定为1×10¹⁸cm^-3以上。

5.根据权利要求4所述的碳化硅单晶，其中，在所述重金属元素的添加密度最高的位置处，成为所述氮的添加密度与所述重金属元素的添加密度之比的氮的添加密度/重金属元素的添加密度为2.0以上。

6.一种碳化硅单晶，其至少在外周部(H2)中，添加有具有铁以上的比重的重金属元素，所述重金属元素的添加密度成为1×10¹⁵cm^-3以上且5.0×10¹⁸cm^-3以下，进而，作为轻金属元素添加有铝，所述铝的添加量为5.0×10¹⁷cm^-3以下。

7.根据权利要求6所述的碳化硅单晶，其中，所述重金属元素的添加密度为1×10¹⁶cm^-3以上。

8.根据权利要求6所述的碳化硅单晶，其中，所述重金属元素为钽或铌。

9.根据权利要求6～8中任一项所述的碳化硅单晶，其中，添加有氮，所述氮的添加密度被设定为1×10¹⁸cm^-3以上。

10.根据权利要求9所述的碳化硅单晶，其中，在所述重金属元素的添加密度最高的位置处，成为所述氮的添加密度与所述重金属元素的添加密度之比的氮的添加密度/重金属元素的添加密度为2.0以上。