[发明专利]涂布膜形成组合物和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.涂布膜形成组合物，其包含

(a)含有由下述式(1a)或(1b)表示的结构单元的聚合物，和

(b)包含1～49质量％的选自丙二醇单甲基醚、丙二醇单甲基醚乙酸酯、丙二醇单乙基醚、2-羟基异丁酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯和乳酸乙酯中的至少1种的有机溶剂和51～99质量％的水的溶剂，

[化1]

式中，X为醋酸、丙酸、氨基磺酸或卤化氢，Y^-为硫酸氢离子、硫酸甲酯离子、硫酸乙酯离子或卤化物离子，R¹为氢原子或甲基，R²和R³各自独立地为甲基或乙基。

2.根据权利要求1所述的涂布膜形成组合物，其中，所述聚合物还含有由下述式(2)表示的结构单元，

[化2]

3.根据权利要求1或2所述的涂布膜形成组合物，其中，(b)溶剂包含1～30质量％的所述有机溶剂和70～99质量％的水。

4.半导体装置的制造方法，其包含：将根据权利要求1～3中任一项所述的涂布膜形成组合物涂布于形成了绝缘层和包含铜的配线层的基板上的该绝缘层和该配线层的表面、烘焙以形成涂布膜的工序；和使用水将所述配线层上的该涂布膜选择地除去的工序。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，所述绝缘层以SiO₂为主成分。

6.根据权利要求4或5所述的半导体装置的制造方法，其中，所述绝缘层以多孔二氧化硅为主成分，在其表面具有来自所述多孔二氧化硅的硅烷醇残基。