[发明专利]用于制备半导体晶片的方法

权利要求书

1.一种用于制备半导体晶片的方法，其中对半导体材料的单晶晶锭进行提拉，并且从半导体材料的所述晶锭中移除至少一个晶片，其中所述晶片经受热处理，所述热处理包含热处理步骤，在所述热处理步骤中，径向温度梯度作用于所述晶片上，其中对半导体材料的所述晶片进行关于晶格中缺陷的形成的分析，即进行所谓的应力场的分析。

2.如权利要求1所述的用于制备半导体晶片的方法，其中所述径向温度梯度作用在所述晶片的除了离所述晶片边缘不大于20mm的距离的晶片边缘区域之外的所有区域上。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述径向温度梯度作用在所述晶片的除了离所述晶片边缘不大于10mm的距离的晶片边缘区域之外的所有区域上。

4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中用于产生径向温度梯度的所述热处理步骤是借助于多个径向布置的热源来实现的，所述热源在它们的辐射强度方面是可分开控制的。

5.如权利要求1至4中任一项所述的用于制备半导体晶片的方法，其中作用在所述晶片上的温度梯度在n个相邻的径向区域上延伸，其中n是整数并且大于1。

6.如权利要求5所述的用于制备半导体晶片的方法，其中在两个相邻区域之间的温度梯度是1开尔文至50开尔文。

7.如权利要求1至6中一项或多项所述的用于制备半导体晶片的方法，其中所述热处理包括加热阶段、保持阶段和冷却阶段，其中所述保持阶段对应于用于产生作用在所述晶片上的径向温度梯度的所述热处理步骤。

8.如权利要求1至7中任一项所述的用于制备半导体晶片的方法，其中用于产生径向温度梯度的所述热处理步骤在包含选自N₂、O₂、H₂、NH₃、He和Ar的一种或多种气体的气体气氛中进行。

9.如权利要求1至8中任一项所述的方法，在径向温度梯度作用于所述晶片的所述热处理步骤之前，对所述晶片进行热处理，其中所述晶片经受在用户工艺中遇到的典型热预算。

10.如权利要求1至9中任一项所述的方法，其中基于所述至少一个晶片中的所述应力场的确定，将从其移除所述至少一个晶片的所述单晶晶锭指定关于应力场的特定规格。