[实用新型]一种微型LED发光器件有效
| 申请号: | 201922390332.6 | 申请日: | 2019-12-27 |
| 公开(公告)号: | CN210073842U | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
| 发明(设计)人: | 孙雷蒙;杨丹;刘芳;李坤 | 申请(专利权)人: | 华引芯(武汉)科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/52;H01L33/62;H01L27/15 |
| 代理公司: | 33231 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 张宇娟 |
| 地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 导电接触器 包覆体 本实用新型 发光器件 微型LED 保护层 传统的 电性连接 封装工艺 支架封装 并联 封装 | ||
本实用新型提供一种微型LED发光器件,包括RGB芯片组、导电接触器、包覆体和保护层,所述RGB芯片组包括并联的R芯片、G芯片和B芯片,所述RGB芯片组与所述导电接触器电性连接,所述包覆体在水平方向包裹所述RGB芯片组和所述导电接触器,所述保护层设置于所述RGB芯片组和所述包覆体上方。相比于传统的LED显示模组,本实用新型的微型LED发光器件通过导电接触器代替了传统的支架封装,可缩小封装体积、简化封装工艺。
技术领域
本实用新型涉及LED封装领域,尤其涉及一种微型LED发光器件。
背景技术
在室内中高端显示市场,DLP背投显示为主流技术,但DLP技术有着天然的缺陷。首先,DLP背投显示根本无法消除显示单元之间的1毫米拼缝,可以最少吞噬掉一个显示像素。其次,DLP在色彩表现力方面也逊色于直接发光的LED显示屏。尤为不足的是,由于DLP显示单元之间的差异,造成了整个显示屏的色彩和亮度的均匀性很难掌控,随着产品运行时间的增加,单元之间差异也会越来越大,拼缝很难保持一致,并且会越来越明显。而单元之间存在的色彩差异以及拼缝的调整问题,使得产品在后期进行维护维修比较困难。随着LED显示屏制造技术的提高,室内高密度小间距LED显示屏应运而生,是指LED显示单元点间距在P2.5及以下的室内LED显示屏,主要包括P2.5、P2.083、P1.923、P1.8、P1.667、P1.5、P1.25、P1.0等LED显示屏产品,其特点是屏的点间距小,单位面积的分辨率高,可以显示更高清晰度的图形图像和视频,也可以显示更多路的视频和图像画面,且显示色彩自然真实,尤其是在图像拼接方面的运用,可以做到无缝和任意大面积拼接。
户内显示屏应用最多的是三基色LED器件,例如目前体积极小的、规格为1010的三基色LED,能做出点间距达到P2.0以下户内显示屏,大大提高户内显示屏分辨率。然而,现在市场上主流的三基色LED器件的封装体为PCT/EMC/PPA等材料,受支架厂技术与市场化材料规格的限制,封装体载板的尺寸厚度无法进一步做小,则三基色LED器件的封装体积无法进一步缩小,显示屏的点间距随之优化困难。在如今,高端LED显示屏应用具有微小间距、模块化封装、可量产化等的要求,如何在提高良率的基础上生产出尺寸更小的封装体成为目前LED封装技术的最大难点。
发明内容
为解决上述技术问题,本实用新型提供了一种微型LED发光器件,其特征在于,包括RGB芯片组、导电接触器、包覆体和保护层,所述RGB芯片组包括并联的R芯片、G芯片和B芯片,所述RGB芯片组与所述导电接触器电性连接,所述包覆体在水平方向包裹所述RGB芯片组和所述导电接触器,所述保护层设置于所述RGB芯片组和所述包覆体上方。
特别地,所述导电接触器由第一导电接触器、第二导电接触器、第三导电接触器和第四导电接触器组成。
优选地,当所述第一导电接触器与所述R芯片、G芯片和B芯片的P极相连时,所述第二导电接触器与所述R芯片的N极相连,所述第三导电接触器与所述G芯片的N极相连,所述第四导电接触器与所述B芯片的N极相连;或者当所述第一导电接触器与所述R芯片、G芯片和B芯片的N极相连时,所述第二导电接触器与所述R芯片的P极相连,所述第三导电接触器与所述G芯片的P极相连,所述第四导电接触器与所述B芯片的P极相连。
优选地,所述第二导电接触器、第三导电接触器和第四导电接触器大小、形状和厚度相同。
优选地,第一导电接触器长300~380μm,宽70~160μm,所述第二导电接触器与所述第三导电接触器、所述第四导电接触器长70~160μm,宽80~120μm。
优选地,所述导电接触器的材料为Cu、Sn、Al、Ni、Ag、Au、AgSn或AuSn中的一种或多种。
优选地,所述R芯片为倒装结构、正装结构或垂直结构;
所述G芯片为倒装结构、正装结构或垂直结构;
所述B芯片为倒装结构、正装结构或垂直结构。
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