[实用新型]具有高散热性的板级扇出封装结构

说明书

本实用新型公开一种具有高散热性的板级扇出封装结构，包括：载板，包括第一封装层和封装于第一封装层内的导热框架，第一封装层具有第一侧面和第二侧面，导热框架沿其厚度方向的一侧面邻近第一封装层的第一侧面；散热胶，贴于第一侧面；芯片，贴于所述散热胶上，且芯片的正面朝向远离载板的一侧；封装结构，位于散热胶上，且芯片封装于封装结构内。本实用新型在数百毫米尺寸范围下，可同时在多个芯片背面设置永久性的散热胶和高强度载板，大大改善了芯片封装时出现的翘曲问题。芯片封装并切割后，该散热胶和高强度载板可作为散热结构，既实现了芯片的高效率散热，又实现了载板的再利用。

技术领域

本实用新型涉及电子封装技术领域，具体涉及一种具有高散热性的板级扇出封装结构。

背景技术

芯片高密度封装受产业界广泛的重视。近年来，大板级扇出型封装技术取得了长足地进展，大板级扇出型封装面积更小，没有基板与中介层；封装芯片厚度更薄，管脚数密度也更大；更重要的是该工艺的芯片具有较低的热阻抗、更好的电气性能，能够更好地满足终端市场对芯片小型化和高性能的需求。

随着大板级扇出型封装技术的发展，尺寸更小的封装结构不断涌现。芯片主要通过大面积的基板来散热，而板级扇出型封装的芯片没有基板，而且封装的尺寸更小，导致芯片的散热表面积也就越小，这就要求封装好的芯片的导热性能足够良好；目前，将芯片热量更快速地传递到封装外部的主要方法是使用导热率更高的材料和优化封装结构。

随着大板级扇出型封装技术的发展，封装结构越来越薄。当封装结构变薄后，封装结构的钢性显著降低，封装体内的材料热膨胀系数(CTE，Coefficient ThermalExpansion)差异大，更容易变形，导致翘曲显著增大，这会影响芯片封装的良率。为降低封装翘曲，一方面表现在材料特性的改善上，另一方面可以使用垂直载具，避免接触基板等方式来减缓翘曲问题，例如Manz设备采用双滚轮输送稳定器的水平传送方式来减缓翘曲问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种具有高散热性的板级扇出封装结构，其可减少翘曲问题，提高芯片散热效率。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

提供一种具有高散热性的板级扇出封装结构，包括：

载板，所述载板包括第一封装层和封装于所述第一封装层内的导热框架，所述第一封装层具有第一侧面和第二侧面，所述导热框架沿其厚度方向的一侧面邻近所述第一封装层的第一侧面；

散热胶，所述散热胶贴于所述第一侧面；

芯片，所述芯片贴于所述散热胶上，且所述芯片的正面朝向远离所述载板的一侧；

封装结构，所述封装结构位于所述散热胶上，且所述芯片封装于所述封装结构内。

作为具有高散热性的板级扇出封装结构的一种优选方案，所述导热框架采用Cu、Al、铁或者石墨烯中的一种材料制成。

作为具有高散热性的板级扇出封装结构的一种优选方案，所述导热框架由若干子框架组成，所述子框架为井字形、菱形、米字型或者田字形中的任意一种形状。

作为具有高散热性的板级扇出封装结构的一种优选方案，所述载板的厚度为0.5～0.8mm。

作为具有高散热性的板级扇出封装结构的一种优选方案，所述封装结构包括：

第二封装层，所述芯片封装于所述第二封装层内；

传输层和再布线层，位于所述第二封装层远离所述载板的一侧，所述传输层的一侧与所述芯片的I/O接口电性连接，另一侧通过铜柱与所述再布线层电性连接，所述再布线层具有焊盘区和非焊盘区；

阻焊层，所述阻焊层位于所述第二封装层远离所述载板的一侧并覆盖所述再布线层的非焊盘区和所述传输层外露于所述再布线层的区域；