[实用新型]一种防干扰装置及半导体制程机台有效
申请号: | 201921016248.1 | 申请日: | 2019-07-02 |
公开(公告)号: | CN210200672U | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | 夏欢;何毓纬;傅永达;赵琼;杨翼虎 | 申请(专利权)人: | 合肥晶合集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 王华英 |
地址: | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 干扰 装置 半导体 机台 | ||
本实用新型公开一种防干扰装置及半导体制程机台,所述防干扰装置包括弯管部件、紧固部件以及吸能部件,所述弯管部件具有两端口,所述紧固部件套设于所述弯管部件的两端口上,所述吸能部件安装于所述弯管部件上,其中所述吸能部件介于所述紧固部件间。所述半导体制程机台包括机台本体和电容真空计,所述机台本体与防干扰装置的一端连接,所述电容真空计与防干扰装置的另一端连接。本实用新型能够减弱机械波,从而避免了机械波影响电容距离。
技术领域
本实用新型涉及半导体真空技术领域,特别是涉及一种防干扰装置及半导体制程机台。
背景技术
在半导体生产中,真空技术是尤为重要的,真空度测量方式之一是使用电容式薄膜真空计(manometer)压力计进行度量,其工作原理是根据弹性薄膜在压差作用下产生形变,从而引起电容变化的原理制成的真空计称为电容式薄膜真空计,电容式薄膜真空计由电容式薄膜规管构成。
半导体行业在应用电容式薄膜真空计时,往往采用直接与反应室(Chamber)连接的方法进行安装,然而在实际使用环境中,半导体设备真空阀、电机等工作时会产生机械波,同时,在电容式薄膜真空计中,机械波影响电容距离,从而造成读值转变,影响反应室状况,导致产品报废,进而影响生产产能,增加公司生产成本。
半导体制程如蚀刻,TF制程中通常使用电容式薄膜真空计,受干扰的读值也影响到机台伺服压力的稳定性,从而影响产品品质。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种防干扰装置及半导体制程机台,用于解决现有技术中的机械波影响电容距离,从而造成读值转变,影响反应室状况,导致产品报废,进而影响生产产能,增加公司生产成本,影响产品品质的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种防干扰装置,所述防干扰装置包括:
弯管部件,所述弯管部件具有两端口;以及
紧固部件,套设于所述弯管部件的两端口上;以及
至少一吸能部件,安装于所述弯管部件上,其中所述吸能部件介于所述紧固部件间。
在本实用新型的一实施例中,所述紧固部件包括第一紧固装置和第二紧固装置,所述第一紧固装置和第二紧固装置套设于所述弯管部件的两端口,所述第一紧固装置用于将所述弯管部件的一端与机台本体连接,所述第二紧固装置用于将所述弯管部件的另一端与电容真空计相连接。
在本实用新型的一实施例中,所述弯管部件的两端口分别设置有第一限位凹槽和第二限位凹槽,所述第一紧固装置通过所述第一限位凹槽套设于所述弯管部件上,所述第二紧固装置通过所述第二限位凹槽套设于所述弯管部件上。
在本实用新型的一实施例中,所述吸能部件包括第一吸能装置和第二吸能装置,所述第一吸能装置和第二吸能装置设置于所述弯管部件上。
在本实用新型的一实施例中,所述弯管部件的弯折角度设置为90°~135°之间。
在本实用新型的一实施例中,所述第一吸能装置和第二吸能装置设置为环形。
在本实用新型的一实施例中,所述第一吸能装置和第二吸能装置设置为扇形。
在本实用新型的一实施例中,所述第一吸能装置和第二吸能装置固定安装于所述弯管部件上。
本实用新型还提供一种半导体制程机台,包括机台本体、电容真空计和上述的防干扰装置,所述机台本体与防干扰装置的一端连接,所述电容真空计与防干扰装置的另一端连接。
在本实用新型的一实施例中,所述机台本体与所述防干扰装置的弯管部件的一端连接,所述电容真空计与所述防干扰装置的弯管部件的另一端连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造