[实用新型]一种基于低频噪声检测的电力MOSFET

说明书

本实用新型实施例公开了一种基于低频噪声检测的电力MOSFET，包括基板和MOSFET芯片，基板的顶部设有用于安装MOSFET芯片的置入槽，基板的顶端向外侧延伸设有漏极板，置入槽的底部设有散热层，且散热层延伸至漏极板上，基板的槽壁上和漏极板的底部均安装有一端与散热层的散热片，通过设置的散热片充分利用了散热层的面积，大大增加了MOSFET芯片的散热面积和散热速度，有利于MOSFET芯片工作的稳定，且在散热层的表面安装有与MOSFET芯片的漏极电性连接的导电层，导电层延伸至漏极板上，使MOSFET芯片的漏极与MOSFET芯片上的源极和栅极均位于正面，减小了漏极和源极之间的距离，从而提高了MOSFET芯片的导电效果。

技术领域

本实用新型实施例涉及电子技术领域，具体涉及一种基于低频噪声检测的电力MOSFET。

背景技术

MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)是利用电场效应来控制半导体的场效应晶体管，由于MOSFET具有可实现低功耗电压控制的特性，近年来被广泛应用在大量电子设备中，包括电源、汽车电子、计算机和智能手机中等，受到越来越多的关注。

MOSFET器件通过将适当电压施加至MOSFET器件的栅极而工作，其接通该器件并形成连接MOSFET的源极(source)和漏极(drain)的通道以允许电流流动，在MOSFET器件中，期望在该晶体管接通时具有低的漏源接通电阻，MOSFET性能特别是电流承载能力的优劣很大程度上取决于散热性能，散热性能的好坏又主要取决于封装形式。

MOSFET的封装要求是大电流的承载能力、高效的导热能力以及较小的封装尺寸，传统MOSFET封装主要是TO、SOT、SOP、QFN、QFP等形式，这类封装都是将芯片包裹在塑封体内，无法将芯片工作时产生的热量及时导走或散去，制约了MSOFET性能提升。

实用新型内容

为此，本实用新型实施例提供一种基于低频噪声检测的电力MOSFET，通过在基板的安装槽内设置延伸至漏极板上的散热层和导电层，并在基板外壁和漏极板底部安装一端连接在散热层上的散热片，以解决现有技术中由于MOSFET芯片封装的导热能力差，以及漏极和源极之间距离较远，而导致的MOSFET芯片工作不稳定，和MOSFET芯片导电效果不理想的问题。

为了实现上述目的，本实用新型的实施方式公布了如下技术方案：

本实用新型公布了一种基于低频噪声检测的电力MOSFET，包括基板和MOSFET芯片，所述MOSFET芯片的顶部设有源极和栅极，所述MOSFET芯片的底部设有漏极，所述基板的顶部设有用于安装MOSFET芯片的置入槽，所述基板的顶端向外侧延伸设有漏极板，所述置入槽的底部设有散热层，且所述散热层延伸至漏极板上，所述基板的侧壁上且位于漏极板的下方安装有两端开口的保护罩，所述基板的槽壁上和漏极板的底部均安装有一端与散热层连接，且位于保护罩内的散热片，所述散热层的表面安装有与MOSFET芯片的漏极电性连接的导电层，所述导电层延伸至漏极板上的一端，以及所述MOSFET芯片的源极和栅极上，分别安装有与所述导电层、源极和栅极电性连接的焊盘，所述漏极板上安装有将导电层和散热层包裹在内的保护层。

进一步地，安装在所述基板上的散热片的末端和安装在所述漏极板上的散热片的末端一一对应连接。

进一步地，所述散热层由散热硅胶铺设而成。

进一步地，所述导电层的末端与漏极板固定连接。

进一步地，贴装后的所述MOSFET芯片顶部与所述漏极板顶部的高度差小于微米。

本实用新型的实施方式具有如下优点：