[实用新型]一种基于低频噪声检测的电力MOSFET有效
| 申请号： | 201920689776.7 | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN209880586U | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 高苗苗 | 申请（专利权）人： | 深圳市冠禹半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L29/417;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518067 广东省深圳市南山区蛇口街道南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 散热层 基板 极板 漏极 导电层 散热片 置入槽 散热 源极 本实用新型 电力MOSFET 表面安装 导电效果 低频噪声 电性连接 外侧延伸 面积和 延伸 槽壁 减小 检测 | ||
1.一种基于低频噪声检测的电力MOSFET，其特征在于，包括基板(1)和MOSFET芯片(2)，所述MOSFET芯片(2)的顶部设有源极和栅极，所述MOSFET芯片的底部设有漏极，所述基板(1)的顶部设有用于安装MOSFET芯片(2)的置入槽，所述基板(1)的顶端向外侧延伸设有漏极板(3)，所述置入槽的底部设有散热层(4)，且所述散热层(4)延伸至漏极板(3)上，所述基板(1)的侧壁上且位于漏极板(3)的下方安装有两端开口的保护罩(5)，所述基板(1)的槽壁上和漏极板(3)的底部均安装有一端与散热层(4)连接，且位于所述保护罩(5)内的散热片(6)；所述散热层(4)的表面安装有与MOSFET芯片(2)的漏极电性连接的导电层(7)，所述导电层(7)延伸至漏极板(3)上的一端，以及所述MOSFET芯片(2)的源极和栅极上，分别安装有与所述导电层(7)、源极和栅极电性连接的焊盘(8)，所述漏极板(3)上安装有将导电层(7)和散热层(4)包裹在内的保护层(9)。
2.根据权利要求1所述的一种基于低频噪声检测的电力MOSFET，其特征在于，安装在所述基板(1)上的散热片(6)的末端和安装在所述漏极板(3)上的散热片(6)的末端一一对应连接。
3.根据权利要求1所述的一种基于低频噪声检测的电力MOSFET，其特征在于，所述散热层(4)由散热硅胶铺设而成。
4.根据权利要求1所述的一种基于低频噪声检测的电力MOSFET，其特征在于，所述导电层(7)的末端与漏极板(3)固定连接。
5.根据权利要求1所述的一种基于低频噪声检测的电力MOSFET，其特征在于，贴装后的所述MOSFET芯片(2)顶部与所述漏极板(3)顶部的高度差小于50微米。
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