[实用新型]一种TVS器件芯片

说明书

本实用新型公开了TVS器件技术领域的一种TVS器件芯片，包括封装外壳、TVS芯片层、过流芯片层、第一引脚与第二引脚，所述封装外壳的内腔设置TVS芯片层与过流芯片层，所述TVS芯片层的底部通过接线连接第一引脚的一端，所述过流芯片层的顶部通过接线连接第二引脚的一端，通过新型的TVS内部两路芯片设计，一路芯片可以满足瞬态电压钳位保护作用，一路芯片在持续过流时，自身断开，且通过复位过流填充物中的高分子聚合物，当断电和故障排除后，其集温降低，态密度增大，相变复原，纳米晶体还原成链状导电通路，使TVS器件恢复为正常状态，从而保证不会引起电路的短路，不会导致电路的火灾。

技术领域

本实用新型涉及TVS器件技术领域，具体为一种TVS器件芯片。

背景技术

瞬态抑制二极管TVS产品，广泛应用于太阳能逆变器、机顶盒、MOSFET保护、工业控制、电信基站和以太网供电之类的应用中，在实际应用中，当脉冲能量超过TVS管所能承受的能量时，TVS管就会产生过电应力损伤，从而导致TVS管失效。TVS管最常见的失效模式是短路失效，此时，即使脉冲电路衰减，TVS管也不会恢复到起始状态，而是一直处于短路状态，从而改变原本的电路结构，导致电子设备无法正常使用，也可能因为电流或电压发生变化导致其余电子元件遭到破坏，违反TVS管的使用初衷。若TVS管因短路电流过大、温度过高而发生炸裂时,此时为断路失效，而炸裂本身会对电子设备和电子元件的影响将更为严重，甚至造成其他不可预料的损失。而且现有的市场上TVS应用广泛，但是经常会有设计不够，被击穿，形成短路，影响整个电路板，会形成火花或者火灾等。为此，我们提出一种TVS器件芯片制造方法。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种TVS器件芯片，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种TVS器件芯片，包括封装外壳、TVS芯片层、过流芯片层、第一引脚与第二引脚，所述封装外壳的内腔设置TVS芯片层与过流芯片层，所述TVS芯片层的底部通过接线连接第一引脚的一端，且第一引脚的另一端延伸至封装外壳的外侧作为TVS器件的输入端，所述过流芯片层的顶部通过接线连接第二引脚的一端，且第二引脚的另一端延伸至封装外壳的外侧作为TVS器件的输出端。

进一步的，所述TVS芯片层与过流芯片层的内部分别设置TVS硅芯片，且TVS芯片层、过流芯片层、第一引脚和第二引脚采用并联连接方式。

进一步的，所述第一引脚与第二引脚均采用铜合金材料制成。

进一步的，所述第一引脚与第二引脚有铜合金制成的一端设置为直线形、波浪形或螺旋形中的一种。

进一步的，所述过流芯片层的内腔设置复位过流填充物，且复位过流填充物为高分子聚合物与纳米导电晶粒组成。

进一步的，所述TVS芯片层中的硅芯片额定电流小于过流芯片层中的硅芯片额定电流。

进一步的，一种TVS器件芯片的制造方法：

S1：对硅片进行好坏的测试，并将检测出硅片中毁坏的芯片进行标记；

本步骤中对坏片进行标记时可以用磁性墨水对坏片进行标记，也可以利用计算机建立一张芯片位置和测试结构的计算机图形，利用计算机将坏的芯片在计算机图形的坐标上进行标记；

S2：将硅片底面贴于蓝膜上，划成一个个小块，并将损坏的芯片挑出；

S3：挑取芯片中好的芯片并在芯片的顶面贴上蓝膜，将芯片上下颠倒，去掉之前底面上的蓝膜；

S4：选用两种不同额定电流的硅芯片，通过机器将两种硅芯片焊接在引线框架的底座上，形成TVS芯片层与过流芯片层；

S5：将第一引脚的一端焊接在TVS芯片层通过光刻形成的限位孔上，将第二引脚的一端焊接在过流芯片层通过光刻形成的限位孔上；