[实用新型]高压功率二极管

权利要求书

1.高压功率二极管，其特征在于，包括：

P型半导体衬底；

P型外延层，其设置在所述半导体衬底上；

N型隔离层，其设置在所述外延层的下部，所述隔离层沿水平方向延伸；

氧化物隔离层，其设置在所述外延层的上表面，所述氧化物隔离层将所述外延层限定为阳极区和阴极区；

N型导电性的第一阱，其设置在所述外延层的上表面上且在所述阳极区中，所述第一阱配置成电连接到阳极端子；

P型导电性的第二阱，其设置在所述外延层的上表面上且在所述阴极区中，所述第二阱配置为电连接到阴极端子；

保护环结构，其设置在所述外延层的上表面上且与第二阱在水平方向上间隔开，所述保护环结构包括第三阱和与所述阳极端子电连接的护环端子，所述第三阱具有沿水平方向布置的N型导电性的第一子阱、P型导电性的第二子阱和N型导电性的第三子阱；以及

P-子区，其设置在所述外延层的上表面以与所述保护环结构水平间隔。

2.如权利要求1所述的高压功率二极管，其中还包括介于所述第二子阱和所述隔离层之间的P型掩埋层。

3.如权利要求1所述的高压功率二极管，其中所述保护环结构还包括介于所述第一子阱和所述保护环端子之间的P型扩散层。

4.如权利要求1所述的高压功率二极管，其中所述第二阱和所述第三阱各自具有围绕所述第一阱的环形结构。

5.如权利要求1所述的高压功率二极管，其中所述第二子阱的深度大于所述第一子阱的深度。

6.如权利要求1所述的高压功率二极管，其中在所述第一阱与所述隔离层之间、所述第一子阱与所述隔离层之间以及所述第三子阱与所述隔离层之间还分别设置有N型导电性的深阱。

7.如权利要求1所述的高压功率二极管，其中所述P-子区包括在水平方向上与所述保护环结构分隔开的P型导电性的第四阱。

8.如权利要求1所述的高压功率二极管，其中所述保护环结构还包括沿水平方向布置的P型导电性的第一扩散层、N型导电性的第二扩散层和P型导电性的第三扩散层，其中所述第一至第三扩散层介于所述第一子阱和所述保护环端子之间。

9.如权利要求1所述的高压功率二极管，其中所述保护环结构还包括沿水平方向布置的N型导电性的第四扩散层和P型导电性的第五扩散层，所述第四和第五扩散层介于所述第一子阱与所述保护环端子之间。

10.如权利要求9所述的高压功率二极管，其中所述保护环结构还包括围绕所述第五扩散层的杂质区。