[发明专利]一种切片定位的方法

说明书

本发明提供一种切片定位的方法，将缺陷依据die划分形成相对于整个晶圆die划分的绝对die位置坐标；将缺陷依据该缺陷所在shot的位置形成相对于该shot的相对die位置坐标；将缺陷依据该缺陷所在die的位置形成相对于该die的相对数值位置坐标；选定与缺陷在同一die中的参考缺陷，建立包含缺陷和参考缺陷的虚拟区域，并计算缺陷相对于虚拟区域的相对数值位置坐标。本发明适用于晶圆失效分析切片定位，利用YE机台扫描提供的坐标，建立虚拟die相对坐标体系，通过换算计算出缺陷相对位置，提供给失效分析用以精确定位，其具有避免晶圆污染，快速换算出缺陷相对位置利于失效分析切片，节约成本。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种切片定位的方法。

背景技术

随着工艺提升，在线缺陷越来越小，对于成熟的半导体工艺制程，主要包括线下(offline)、在线(inline)、WAT测试以及缺陷(defect)等数据。其中defect在半导体工艺流程的每一步都会产生，且不同工艺步骤引入的defect种类、数量及分布都不一样，对于产品质量的影响程度也不尽相同。同时为了进一步分析缺陷成因，需要切片微观分析；传统的做法是，YE提供缺陷坐标，在线FIB根据缺陷坐标自动找点并取样，最后失效分析进行切片。同时在线FIB切片对晶圆会产生大量颗粒对晶圆造成污染风险，影响产品良率的提升。

因此，需要提出一种新的方法可以既不污染晶圆，又能精确确定缺陷的位置，有助于能进一步确定需要进行切片的位置。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种切片定位的方法，用于解决现有技术中因在线FIB切片对晶圆会产生大量颗粒对晶圆造成污染风险，影响产品良率的提升的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种切片定位的方法，该方法至少包括以下步骤：

步骤一、提供缺陷在晶圆上的绝对数值位置坐标；

步骤二、将晶圆进行shot和die的划分；将所述缺陷依据所述die划分形成相对于整个晶圆die划分的绝对die位置坐标；

步骤三、将所述缺陷依据该缺陷所在shot的位置形成相对于该shot的相对die位置坐标；

步骤四、将所述缺陷依据该缺陷所在die的位置形成相对于该die的相对数值位置坐标；

步骤五、选定与所述缺陷在同一die中的参考缺陷，建立包含所述缺陷和参考缺陷的虚拟区域，并计算所述缺陷相对于所述虚拟区域的相对数值位置坐标。

优选地，步骤一中所述缺陷的绝对数值位置坐标由良率工艺提供。

优选地，步骤二中将所述晶圆进行shot的划分方法是：每个shot划分为9*13的矩阵，每个矩阵单元为一个die。

优选地，步骤五中所选定的参考缺陷个数为一个。

优选地，步骤五中计算所述缺陷相对于所述虚拟区域的相对数值位置坐标的方法包括：提供所述参考缺陷相对于该参考缺陷所在die的相对数值位置坐标。

优选地，步骤五中计算所述缺陷相对于所述虚拟区域的相对数值位置坐标的方法包括：(1)将所述虚拟区域在纵向划分为多个等分，每个等分为一个虚拟单元；(2)将所述参考缺陷所在的虚拟单元投影至所述缺陷所在的虚拟单元；(3)将所述缺陷所在的虚拟单元划分为多个等分，(4)所述缺陷相对于其所在die的数值位置坐标减去所述参考缺陷在该die中的相对数值位置坐标，得到坐标差；(5)用所述坐标差除所述等分的个数得到所述缺陷相对于所述虚拟区域的相对数值位置坐标。

优选地，步骤(3)中将所述缺陷所在的虚拟单元分别在横向和纵向上划分为多个等分。