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- [发明专利]BS机台有机物沾污的监测方法-CN202310723128.X在审
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张方舟;陈苗;米琳;宁威
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华虹半导体（无锡）有限公司
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2023-06-16
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2023-09-29
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H01L21/66
- 本本申请提供一种BS机台有机物沾污的监测方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有多层介质层和接触孔；利用BS机台形成金属阻挡层和金属种子层；对量测机台的腔室进行抽真空；形成金属主体层；去除超出接触孔顶端的金属主体层；进行后期YE量测。本申请通过在形成金属阻挡层和金属种子层之后，以及在形成金属主体层之前，对量测机台的腔室进行抽真空，可以将接触孔底部的有机物沾污移动至接触孔侧壁上以及晶圆表面并聚集成沾污团簇，在金属主体层中形成便于观测的大尺寸空洞缺陷，从而可以在后期YE量测时及时监测有机物沾污；此外，本申请不采用RGA方式来监控有机物沾污，避免了现有监测方式中零部件损坏后，更换新零部件困难的情况。
- bs机台有机物沾污监测方法
- [发明专利]热退火方法-CN202310593603.6在审
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封帆;马强;曹爱;米琳;宁威;张宾
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华虹半导体（无锡）有限公司
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2023-05-24
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2023-07-28
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H01L21/324
- 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种热退火方法。所述热退火方法包括以下步骤：向炉管的工作腔中输送待进行热退火处理的晶舟，所述晶舟中包括原硅片和半导体器件，所述原硅片的表面形成致密的氧化硅层；向所述工作腔中通入氮气，并加热所述工作腔以对所述晶舟中的原硅片和半导体器件进行热退火处理。本申请通过形成致密的氧化硅层，以防止原硅片中的硅被反应形成气态的氧化硅，从而能够避免在后续炉管降温过程中气态的氧化硅转化为固态氧化硅，并掉落在半导体器件表面的问题。
- 退火方法
- [发明专利]SRAM局部区域漏电窗口的检测方法-CN202211397328.2在审
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宁威
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华虹半导体（无锡）有限公司
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2022-11-09
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2023-05-16
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G01R31/52
- 本发明提供一种SRAM局部区域漏电窗口的检测方法，包括：利用检测光罩对测试晶圆进行曝光以完成接触孔图形和多晶硅栅极图形的套刻；获取接触孔图形与多晶硅栅极图形之间的间距值；获取局部区域的图像灰度值；获取套刻偏移量和局部区域的图像灰度值的拟合函数；获取待检测的SRAM产品片的局部区域的图像灰度值；获取SRAM上的接触孔图形与多晶硅栅极图形之间的间距值以检测SRAM上的局部区域是否存在漏电窗口。本申请根据测试片的图像灰度值与接触孔图形与多晶硅栅极图形之间的间距值，得到可应用于SRAM产品片上的接触孔至多晶硅栅极的偏移量检测的拟合函数，实现了SRAM上的局部区域是否存在漏电窗口的在线检测。
- sram局部区域漏电窗口检测方法
- [发明专利]膜厚异常情况的检测方法-CN202010757295.2有效
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马强;米琳;宁威;李志国
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华虹半导体（无锡）有限公司
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2020-07-31
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2023-05-02
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G01N21/95
- 本申请公开了一种膜厚异常情况的检测方法，涉及半导体制造领域。该方法包括对晶圆表面进行亮场扫描，获取晶圆上die表面膜层的形貌信息，形貌信息包括明暗度差异值和粗糙度差异值；针对获取到形貌信息的各个die，检测die上各个膜点对应的形貌信息是否满足预定条件，预定条件为明暗度差异值小于第一预定值，且粗糙度差异值小于第二预定值；若检测到膜点对应的形貌信息满足预定条件，则确定膜点的膜厚无异常；若检测到膜点对应的形貌信息不满足预定条件，则确定膜点的膜厚发生异常；解决了目前检测膜厚时限制多，难以实时检测膜厚情况的问题；达到了在膜层制作完成后及时检测膜厚，实现膜厚异常的当站检测的效果。
- 异常情况检测方法
- [发明专利]晶圆清洗机台的监控方法-CN202211165241.2在审
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张方舟;陈苗;米琳;宁威
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华虹半导体（无锡）有限公司
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2022-09-23
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2022-12-27
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H01L21/66
- 本发明提供一种晶圆清洗机台的监控方法，包括：在裸晶圆的正面形成堆叠的第一缓冲层、第二缓冲层、种层和金属层以得到一测试芯片；将所述测试芯片转移至晶圆清洗机台；对所述测试芯片的背面进行清洗；获取所述测试芯片的电子束成像灰阶图；分析金属离子在所述测试芯片的边缘、侧壁上的分布情况。本申请利用正面生长金属层的测试芯片来模拟产品片的BSC机台清洗作业工艺，根据测试芯片的电子束成像灰阶图，分析金属离子在所述测试芯片的边缘、侧壁上的分布情况，提前监控BSC机台的清洗作业状态是否发生改变，从而避免了BSC机台因状态改变的清洗作业造成的粒子弥散缺陷，从而避免了晶圆正面的金属层产生损伤，提高了晶圆后期良率。
- 清洗机台监控方法
- [发明专利]一种切片定位的方法-CN201911363187.0有效
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米琳;李志国;宁威
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华虹半导体（无锡）有限公司
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2019-12-26
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2022-08-16
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H01L21/68
- 本发明提供一种切片定位的方法，将缺陷依据die划分形成相对于整个晶圆die划分的绝对die位置坐标；将缺陷依据该缺陷所在shot的位置形成相对于该shot的相对die位置坐标；将缺陷依据该缺陷所在die的位置形成相对于该die的相对数值位置坐标；选定与缺陷在同一die中的参考缺陷，建立包含缺陷和参考缺陷的虚拟区域，并计算缺陷相对于虚拟区域的相对数值位置坐标。本发明适用于晶圆失效分析切片定位，利用YE机台扫描提供的坐标，建立虚拟die相对坐标体系，通过换算计算出缺陷相对位置，提供给失效分析用以精确定位，其具有避免晶圆污染，快速换算出缺陷相对位置利于失效分析切片，节约成本。
- 一种切片定位方法
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