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[发明专利]中继卫星资源分配方法和装置-CN202311001344.X有效
发明人：米琳;窦帅;朱家佳;李子扬;李传荣;李晓辉;田汶鑫;苑馨方;张静 -专利权人：中国科学院空天信息创新研究院
申请日： 2023-08-09 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H04B7/185 文献下载
摘要：本申请提供了一种中继卫星资源分配方法和装置，该方法包括：确定待处理的多个中继任务；确定中继卫星资源规划的目标需求类型；按照不同需求类型与优化模型的对应关系，从配置的多个优化模型中确定与目标需求类型对应的目标优化模型；确定中继卫星资源规划的多个约束条件；基于各中继任务指示的参数信息、目标优化模型中的至少两项优化目标以及多个约束条件，确定出多个中继任务中计划执行的至少一个目标中继任务以及目标中继任务的执行规划信息，目标中继任务的执行规划信息包括：为目标中继任务分配的目标中继卫星，以及目标中继任务的计划执行时长和计划执行时间段。本申请的方案能够更为合理地实现中继卫星资源分配。
中继卫星资源分配方法装置

[发明专利]BS机台有机物沾污的监测方法-CN202310723128.X在审
发明人：张方舟;陈苗;米琳;宁威 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本本申请提供一种BS机台有机物沾污的监测方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有多层介质层和接触孔；利用BS机台形成金属阻挡层和金属种子层；对量测机台的腔室进行抽真空；形成金属主体层；去除超出接触孔顶端的金属主体层；进行后期YE量测。本申请通过在形成金属阻挡层和金属种子层之后，以及在形成金属主体层之前，对量测机台的腔室进行抽真空，可以将接触孔底部的有机物沾污移动至接触孔侧壁上以及晶圆表面并聚集成沾污团簇，在金属主体层中形成便于观测的大尺寸空洞缺陷，从而可以在后期YE量测时及时监测有机物沾污；此外，本申请不采用RGA方式来监控有机物沾污，避免了现有监测方式中零部件损坏后，更换新零部件困难的情况。
bs 机台有机物沾污监测方法

[发明专利]一种湿法刻蚀机台干燥能力的验证方法-CN202310721399.1在审
发明人：郑风勤;郑犇;席国强;陈海唐;米琳;宁威 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种湿法刻蚀机台干燥能力的验证方法，包括提供具有侧掏结构的晶圆，该侧掏结构通过在裸晶圆表面沉积ONO层，然后进行沟槽刻蚀形成，ONO层包括底层HTO层、中间层SiN层和顶层TEOS层；利用湿法刻蚀机台对晶圆进行湿法刻蚀以去除氧化层；对裸晶圆表面进行热氧化处理形成牺牲氧化层；去除SiN层和牺牲氧化层；利用扫描机台对晶圆进行良率量测和缺陷扫描，若缺陷扫描结果为凹坑缺陷，则验证失败，否则验证通过。本发明利用侧掏结构晶圆干燥不足间隙容易产生水痕，经氧化物生长及去除过程会产生凹坑缺陷，采用侧掏结构晶圆，经炉管热氧化生长及氧化层移除后，通过缺陷结果来验证机台干燥能力，提高了对湿法刻蚀机机台干燥能力的监控，提升了器件良率。
一种湿法刻蚀机台干燥能力验证方法

[发明专利]减少量测过程中光刻胶损伤的方法-CN202111408277.4有效
发明人：曹爱;米琳;宁威;吴学 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种减少量测过程中光刻胶损伤的方法，其包括以下步骤：步骤一，根据灵敏度和激光功率密度，形成不同模式的晶圆表面扫描方式；步骤二，在对应不同的偏振模式，形成多种扫描条件，然后对旋涂光刻胶的晶圆进行剂量试验；步骤三，同一个条件下一片晶圆的光刻胶重复扫描两次，并记录对应的Haze值，对比两次扫描后，最后得到每个条件的Haze变化值，Haze变化最小即为发生光刻胶损伤可能性最小，该条件为最佳扫描条件。本发明通过减少光刻胶对入射激光能量的吸收，从而降低激光对光刻胶的损伤。
减少过程光刻损伤方法

[发明专利]一种基于条件变分自编码器的变孔隙度数字岩心建模方法-CN202310607346.7在审
发明人：董怀民;迟蓬;孙建孟;米琳 -专利权人：长安大学
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G01N23/046 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于条件变分自编码器的变孔隙度数字岩心建模方法，属于数字岩心技术领域，包括：收集相同类型的储层岩心样品，构建三维数字岩心；将三维数字岩心切割为128×128×128体素的立方体三维数字岩心小块，分别计算每一个小块的孔隙度作为该小块的条件信息；将每一个三维数字岩心和孔隙度分别作为训练数据和条件信息输入条件变分自编码器模型中进行训练，得到训练好的条件变分自编码器模型；将任意孔隙度和从潜在空间中采样的随机向量输入训练好的条件变分自编码器模型，得到新的三维数字岩心。该方法能够构建任意孔隙度的数字岩心。
一种基于条件编码器孔隙度数岩心建模方法

[发明专利]双香豆素及其衍生物作为内质网应激抑制剂在制备治疗肝损伤药物中的应用-CN202310481430.9在审
发明人：石国军;杨吉锋;陈燕铭;温诗怡;文哲瑶;米琳;任志涛;智亚平;王玉婵;艾鹤英;何学敏;朱延华 -专利权人：中山大学附属第三医院
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： A61K31/37 文献下载
摘要：本申请涉及生物技术领域，具体公开了一种双香豆素及其衍生物作为内质网应激抑制剂在制备治疗肝损伤药物中的应用。本发明首次通过靶向IRE1α的激酶结构域筛选到能显著抑制内质网应激的天然产物双香豆素；双香豆素可以改善衣霉素引起的小鼠肝损伤，体现为抑制内质网应激，改善气泡样变和脂质沉积。并且，光甘草定改善四氯化碳引起的小鼠肝损伤，体现为抑制内质网应激，改善炎症和细胞凋亡。
双香豆素及其衍生物作为内质网应激抑制剂制备治疗损伤药物中的应用

[发明专利]热退火方法-CN202310593603.6在审
发明人：封帆;马强;曹爱;米琳;宁威;张宾 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种热退火方法。所述热退火方法包括以下步骤：向炉管的工作腔中输送待进行热退火处理的晶舟，所述晶舟中包括原硅片和半导体器件，所述原硅片的表面形成致密的氧化硅层；向所述工作腔中通入氮气，并加热所述工作腔以对所述晶舟中的原硅片和半导体器件进行热退火处理。本申请通过形成致密的氧化硅层，以防止原硅片中的硅被反应形成气态的氧化硅，从而能够避免在后续炉管降温过程中气态的氧化硅转化为固态氧化硅，并掉落在半导体器件表面的问题。
退火方法

[实用新型]一种便携式诱捕器-CN202223526911.7有效
发明人：胡静波;赵玲玲;陈冲;何嘉;宋信昌;丁燕芳;赵凤霞;王洁琼;米琳;徐沛瑶;赵敬;范进华;王海涛;宋学立 -专利权人：河南省烟草公司漯河市公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： A01M1/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便携式诱捕器，包括尼龙网外壳，所述尼龙网外壳包括两个环形网套、一个空心的圆柱形网身、一个空心的锥形网身和一个网盖，两个所述环形网套分别设置在所述圆柱形网身的上下两端，一个所述锥形网身设置在所述圆柱形网身的内部，所述网盖设置在所述圆柱形网身的上端，两个所述环形网套内均设置有一个固定环，两个所述环形网套上均开设有一个缺口，所述固定环设置为首尾不相连的缺口环，所述锥形网身的上端设置有进出口，所述进出口上设置有扩口环，所述扩口环上设置有连接绳，所述连接绳上设置有挂钩。本实用新型设置尼龙网外壳、固定环、扩口环、连接绳和挂钩，整体结构简单，使用成本低，同时便于折叠携带运输。
一种便携式诱捕

[发明专利]避免后段工艺中金属互连层形成孔洞的方法-CN202310024657.0在审
发明人：陈苗;张方舟;米琳;宁威 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种避免后段工艺中金属互连层形成孔洞的方法，提供衬底，衬底上形成有半导体结构，之后形成覆盖半导体结构的第一层间介质层，之后在第一层间介质层上形成与半导体结构电接触的第一金属互连层结构；形成覆盖第一层间介质层的叠层，刻蚀叠层形成至第一金属互连层结构裸露，用以形成互连孔槽；在互连孔槽上形成金属种子层，金属种子层上附着有污染物；利用紫外线光照射污染物，用于破坏污染物的分子键使得污染物脱离金属种子层的表面，之后去除污染物；通过淀积、研磨在金属种子层表面形成金属层。本发明通过紫外线光照射所述污染物，用于破坏所述污染物的分子键使得所述污染物脱离所述金属种子层的表面，从而改善金属互连层孔洞的产生。
避免后段工艺金属互连形成孔洞方法

[发明专利]膜厚异常情况的检测方法-CN202010757295.2有效
发明人：马强;米琳;宁威;李志国 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本申请公开了一种膜厚异常情况的检测方法，涉及半导体制造领域。该方法包括对晶圆表面进行亮场扫描，获取晶圆上die表面膜层的形貌信息，形貌信息包括明暗度差异值和粗糙度差异值；针对获取到形貌信息的各个die，检测die上各个膜点对应的形貌信息是否满足预定条件，预定条件为明暗度差异值小于第一预定值，且粗糙度差异值小于第二预定值；若检测到膜点对应的形貌信息满足预定条件，则确定膜点的膜厚无异常；若检测到膜点对应的形貌信息不满足预定条件，则确定膜点的膜厚发生异常；解决了目前检测膜厚时限制多，难以实时检测膜厚情况的问题；达到了在膜层制作完成后及时检测膜厚，实现膜厚异常的当站检测的效果。
异常情况检测方法

[发明专利]金属离子或金属颗粒的监控方法-CN202211452033.0在审
发明人：宁威;米琳;李志国 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种金属离子或金属颗粒的监控方法，所述方法包括：提供一晶圆，且所述晶圆至少包括半导体衬底；于所述晶圆的表面形成多晶硅层；对形成有所述多晶硅层的所述晶圆进行扫描，以判断所述晶圆是否存在晶向异形缺陷，若判断结果为是，得到所述晶向异形缺陷的分布数量及分布坐标。通过本发明解决了现有的查找机台设备异常点的周期长且排查难度高的问题。
金属离子颗粒监控方法

[实用新型]一种用于植物保护的农药检测试剂盒-CN202221734765.4有效
发明人：朱金峰;王洁琼;赵玲玲;王海涛;宋信昌;赵凤霞;丁燕芳;米琳;李淑君;马宇;李文峰;王志忠;张锋;梁洪涛;陈启龙;宋学立;何嘉;徐沛瑶;赵敬;孙燕鑫 -专利权人：河南省烟草公司漯河市公司;河南省农业科学院烟草研究所
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： B65D25/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于植物保护的农药检测试剂盒，包括试剂盒，所述试剂盒的内部底端滑动连接有试剂管夹板；通过在试剂盒的底端设置的底部护壳，底部护壳的内部中间固定连接有弹簧挡板，弹簧挡板的底端固定连接有复位弹簧，复位弹簧的内侧设置有推杆，推杆的一端固定连接有按压板，推杆的另一端固定连接有试管推板，试管推板位于试剂管的底端，需要取出试剂管，按下按压板，复位弹簧就会压缩，推杆就会将试管推板顶升，从而将试剂管顶出试剂盒的内部，这样便于使用者可以将试剂管拿出，松开按压板，复位弹簧就会释放，按压板、推杆和试管推板就会回到原位，这样拿取方便，提高工作的效率。
一种用于植物保护农药检测试剂盒

[发明专利]晶圆清洗机台的监控方法-CN202211165241.2在审
发明人：张方舟;陈苗;米琳;宁威 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆清洗机台的监控方法，包括：在裸晶圆的正面形成堆叠的第一缓冲层、第二缓冲层、种层和金属层以得到一测试芯片；将所述测试芯片转移至晶圆清洗机台；对所述测试芯片的背面进行清洗；获取所述测试芯片的电子束成像灰阶图；分析金属离子在所述测试芯片的边缘、侧壁上的分布情况。本申请利用正面生长金属层的测试芯片来模拟产品片的BSC机台清洗作业工艺，根据测试芯片的电子束成像灰阶图，分析金属离子在所述测试芯片的边缘、侧壁上的分布情况，提前监控BSC机台的清洗作业状态是否发生改变，从而避免了BSC机台因状态改变的清洗作业造成的粒子弥散缺陷，从而避免了晶圆正面的金属层产生损伤，提高了晶圆后期良率。
清洗机台监控方法

[发明专利]改善字线多晶硅层研磨后硬掩模层厚度均匀性的方法-CN202211246952.2在审
发明人：王德鑫;马强;米琳;宁威;高骏;吴志涛;韩笑 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本申请提供一种改善字线多晶硅层研磨后硬掩模层厚度均匀性的方法，包括：提供一衬底，衬底分为核心区和外围区，核心区上形成有多个闪存栅结构；沉积硬掩模层，覆盖核心区和外围区；刻蚀硬掩模层，在核心区的硬掩模层中形成多个条状沟槽；沉积字线多晶硅层，覆盖硬掩模层并填满多个条状沟槽；研磨字线多晶硅层和硬掩模层至硬掩模层的厚度比预定厚度多出预留部分时终止；实施浸泡工艺去除硬掩模层的预留部分。通过先将硬掩模层研磨至比预定厚度多出预留部分再实施浸泡工艺去除该预留部分的方式，提高字线多晶硅层研磨后硬掩模层厚度的均匀性，减少后续刻蚀硬掩模层时硬掩模层的残留。
改善多晶研磨后硬掩模层厚度均匀方法

[发明专利]STI空穴结构设计缺点的检测方法-CN202211249416.8在审
发明人：白杰;米琳;宁威;许隽 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种STI空穴结构设计缺点的检测方法，包括提供衬底，在衬底上形成垫氧层以及形成与垫氧上的硬掩膜层，通过光刻、刻蚀形成贯通硬掩膜层、垫氧层、衬底的凹槽；在凹槽上形成线形氧化层；将衬底划分为第一、二区域，利用第一光源照射第一区域中的线形氧化层，使得线形氧化层表面的氢键减少；利用第二光源照射第二区域中的线形氧化层表面，使得第二区域中线形氧化层层表面的氢键多于第一区域中的线性氧化层表面的氢键；通过淀积、研磨在每个凹槽中形成STI，之后去除硬掩膜层；获取第一、二区域中的空穴结构的数据并分析设计缺点。本发明的检测方法无需额外的湿洗过程，且可在单片晶圆内做多组测试组，能够节约成本和时间。
sti 空穴结构设计缺点检测方法

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