[发明专利]一种切片定位的方法有效

专利信息
申请号: 201911363187.0 申请日: 2019-12-26
公开(公告)号: CN111146130B 公开(公告)日: 2022-08-16
发明(设计)人: 米琳;李志国;宁威 申请(专利权)人: 华虹半导体(无锡)有限公司
主分类号: H01L21/68 分类号: H01L21/68;H01L23/544
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 戴广志
地址: 214028 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 切片 定位 方法
【权利要求书】:

1.一种切片定位的方法,其特征在于,该方法至少包括以下步骤:

步骤一、提供缺陷在晶圆上的绝对数值位置坐标;

步骤二、将晶圆进行shot和die的划分;将所述缺陷依据所述die划分形成相对于整个晶圆die划分的绝对die位置坐标;

步骤三、将所述缺陷依据该缺陷所在shot的位置形成相对于该shot的相对die位置坐标;

步骤四、将所述缺陷依据该缺陷所在die的位置形成相对于该die的相对数值位置坐标;

步骤五、选定与所述缺陷在同一die中的参考缺陷,建立包含所述缺陷和参考缺陷的虚拟区域,并计算所述缺陷相对于所述虚拟区域的相对数值位置坐标,计算所述缺陷相对于所述虚拟区域的相对数值位置坐标的方法包括:提供所述参考缺陷相对于该参考缺陷所在die的相对数值位置坐标;包括:(1)将所述虚拟区域在纵向划分为多个等分,每个等分为一个虚拟单元;(2)将所述参考缺陷所在的虚拟单元投影至所述缺陷所在的虚拟单元;(3)将所述缺陷所在的虚拟单元划分为多个等分,(4)所述缺陷相对于其所在die的数值位置坐标减去所述参考缺陷在该die中的相对数值位置坐标,得到坐标差;(5)用所述坐标差除所述等分的个数得到所述缺陷相对于所述虚拟区域的相对数值位置坐标。

2.根据权利要求1所述的切片定位的方法,其特征在于:步骤一中所述缺陷的绝对数值位置坐标由良率工艺提供。

3.根据权利要求1所述的切片定位的方法,其特征在于:步骤二中将所述晶圆进行shot的划分方法是:每个shot划分为9*13的矩阵,每个矩阵单元为一个die。

4.根据权利要求3所述的切片定位的方法,其特征在于:步骤五中所选定的参考缺陷个数为一个。

5.根据权利要求4所述的切片定位的方法,其特征在于:步骤(3)中将所述缺陷所在的虚拟单元分别在横向和纵向上划分为多个等分。

6.根据权利要求5所述的切片定位的方法,其特征在于:步骤(4)中所述缺陷相对于其所在die的数值位置坐标减去所述参考缺陷在该die中的相对数值位置坐标,分别得到横向和纵向的坐标差。

7.根据权利要求6所述的切片定位的方法,其特征在于:步骤(5)中用所述横向的坐标差除所述横向的等分个数,用所述纵向的坐标差除所述纵向的等分个数,得到所述缺陷相对于其所在虚拟区域的横向相对数值位置坐标和纵向相对数值位置坐标。

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