[发明专利]一种切片定位的方法有效
申请号: | 201911363187.0 | 申请日: | 2019-12-26 |
公开(公告)号: | CN111146130B | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 米琳;李志国;宁威 | 申请(专利权)人: | 华虹半导体(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L23/544 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 切片 定位 方法 | ||
1.一种切片定位的方法,其特征在于,该方法至少包括以下步骤:
步骤一、提供缺陷在晶圆上的绝对数值位置坐标;
步骤二、将晶圆进行shot和die的划分;将所述缺陷依据所述die划分形成相对于整个晶圆die划分的绝对die位置坐标;
步骤三、将所述缺陷依据该缺陷所在shot的位置形成相对于该shot的相对die位置坐标;
步骤四、将所述缺陷依据该缺陷所在die的位置形成相对于该die的相对数值位置坐标;
步骤五、选定与所述缺陷在同一die中的参考缺陷,建立包含所述缺陷和参考缺陷的虚拟区域,并计算所述缺陷相对于所述虚拟区域的相对数值位置坐标,计算所述缺陷相对于所述虚拟区域的相对数值位置坐标的方法包括:提供所述参考缺陷相对于该参考缺陷所在die的相对数值位置坐标;包括:(1)将所述虚拟区域在纵向划分为多个等分,每个等分为一个虚拟单元;(2)将所述参考缺陷所在的虚拟单元投影至所述缺陷所在的虚拟单元;(3)将所述缺陷所在的虚拟单元划分为多个等分,(4)所述缺陷相对于其所在die的数值位置坐标减去所述参考缺陷在该die中的相对数值位置坐标,得到坐标差;(5)用所述坐标差除所述等分的个数得到所述缺陷相对于所述虚拟区域的相对数值位置坐标。
2.根据权利要求1所述的切片定位的方法,其特征在于:步骤一中所述缺陷的绝对数值位置坐标由良率工艺提供。
3.根据权利要求1所述的切片定位的方法,其特征在于:步骤二中将所述晶圆进行shot的划分方法是:每个shot划分为9*13的矩阵,每个矩阵单元为一个die。
4.根据权利要求3所述的切片定位的方法,其特征在于:步骤五中所选定的参考缺陷个数为一个。
5.根据权利要求4所述的切片定位的方法,其特征在于:步骤(3)中将所述缺陷所在的虚拟单元分别在横向和纵向上划分为多个等分。
6.根据权利要求5所述的切片定位的方法,其特征在于:步骤(4)中所述缺陷相对于其所在die的数值位置坐标减去所述参考缺陷在该die中的相对数值位置坐标,分别得到横向和纵向的坐标差。
7.根据权利要求6所述的切片定位的方法,其特征在于:步骤(5)中用所述横向的坐标差除所述横向的等分个数,用所述纵向的坐标差除所述纵向的等分个数,得到所述缺陷相对于其所在虚拟区域的横向相对数值位置坐标和纵向相对数值位置坐标。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造