[发明专利]半导体元器件及其制备方法、电子装置

说明书

一种半导体元器件的制造方法，其包括以下步骤：在半导体基体上沉积多晶硅以形成沉积层；对所述沉积层进行化学机械抛光处理或回蚀处理；对上述处理后的沉积层进行氢注入或/及氢气等离子体处理；以及在600℃～900℃下对上述沉积层进行退火处理，从而形成多晶硅接触层。所述半导体元器件的制备方法有利于提高使用寿命。本申请还提供一种半导体元器件及应用所述半导体元器件的电子装置。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体元器件及其制备方法，以及应用所述半导体元器件的电子装置。

背景技术

半导体存储设备用于为存储数据或程序命令。常见的存储设备包括动态随机存取存储器(DRAM)，它广泛用于数字电子产品中。随着对高度集成的半导体存储器件的需求增加，半导体器件的尺寸减小，进而使得半导体器件中的多晶硅接触层也减小。而在形成多晶硅接触层时，由于体积的小型化，使得化学机械抛光时或者回蚀处理时容易形成孔隙，导致产品不良或使用寿命缩短。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种提高良率以及产品使用寿命的半导体元器件的制备方法。

另，还有必要提供一种半导体元器件及应用所述半导体元器件的电子装置。

一种半导体元器件的制造方法，其包括以下步骤：

在半导体基体上沉积多晶硅以形成沉积层；

对所述沉积层进行化学机械抛光处理或回蚀处理；

对上述处理后的沉积层进行氢注入或/及氢气等离子体处理；以及

在600℃～900℃下对上述沉积层进行退火处理，从而形成多晶硅接触层。

一种半导体元器件，其通过上所述的半导体元器件的制造方法制得。

一种电子装置，所述电子装置包括如上所述的半导体元器件。

相较于现有技术，本申请的半导体元器件的制备方法工艺简单，容易操作。而上述制备方法中在退火前先对沉积的多晶硅进行氢注入处理和/或经过氢气等离子体处理，消除所述沉积层表面形成的悬空键，从而有利于降低退火所需的温度，避免现有技术中高于1000℃的退火处理温度对半导体元器件造成损伤，并且结合上述退火处理，有利于消除多晶硅接触层中的孔隙/缝隙，从而提高产品良率及使用寿命。

附图说明

图1为本发明第一实施例的半导体元器件的制备方法的流程图。

图2为本发明一实施例的半导体基体的剖面示意图。

图3为在图2所示的半导体基体上形成沉积层的剖面示意图。

图4本发明第二实施例的半导体元器件的制备方法的流程图。

图5本发明第三实施例的半导体元器件的制备方法的流程图。

图6本发明第四实施例的半导体元器件的制备方法的流程图。

主要元件符号说明

半导体基体 10

表面 101

沉积层 30

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。