[发明专利]半导体结构、晶体管、可变电容及元器件有效
| 申请号： | 201911252048.0 | 申请日： | 2019-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN110931564B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 田志;李娟娟;邵华;陈昊瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/94;H01L29/06;H01L27/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 晶体管 可变电容 元器件 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底以及位于所述衬底上的栅极结构，所述衬底包括势阱，所述势阱中形成有第一通道、第二通道、第三通道和第四通道，所述第一通道和所述第二通道连通，第一通道和第二通道注入相同的离子，第三通道和第四通道注入相同的离子；所述势阱为P型势阱或N型势阱；当势阱为P型势阱时，注入所述第一通道和所述第二通道的离子为输入/输出N型器件浅轻掺杂离子，注入所述第三通道和所述第四通道的离子为源漏极N型掺杂离子；当势阱为N型势阱时，注入所述第一通道和所述第二通道的离子为源漏极N型掺杂离子，注入所述第三通道和所述第四通道的离子为输入/输出N型器件浅轻掺杂离子。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构包括：位于所述衬底上的浮栅和位于所述浮栅两侧的ONO层以及位于所述ONO层两侧的控制栅。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，第三通道位于第一通道内，第四通道位于第二通道内。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第三通道位于所述第一通道左侧，所述第四通道位于所述第二通道右侧。
5.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第三通道和所述第四通道分别连接所述控制栅。
6.一种晶体管，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的半导体结构。
7.一种可变电容，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的半导体结构。
8.一种元器件，其特征在于，包括如权利要求6的晶体管以及位于所述晶体管旁边的如权利要求7的可变电容，所述晶体管的势阱和所述可变电容的势阱相同。
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