[发明专利]半导体装置制造方法

说明书

一种半导体装置制造方法。此方法包括形成第一介电层和在第一介电层上方形成第一半导体层。图案化第一半导体层以形成图案化的第一半导体层。使用图案化的第一半导体层来图案化第一介电层，以形成图案化的第一介电层。在图案化的第一介电层和图案化的第一半导体层上方形成第二半导体层。

技术领域

本公开涉及一种半导体装置制造方法。

背景技术

在半导体工艺期间，使用不同的技术来移除在制造半导体装置中使用的材料层或材料层的一部分。移除材料层或材料层的一部分的一种技术是蚀刻。蚀刻是将蚀刻剂(例如液体化学物质)施加到要移除的材料层或材料层的一部分上的工艺。通常移除材料层或材料层的一部分以暴露下面的材料层或特征，或在材料层中定义特定图案。施加了蚀刻剂的材料层或材料层的一部分相对于蚀刻剂具有特定的蚀刻选择性，使得材料层或材料层的一部分被蚀刻剂移除或蚀刻掉。未被移除的材料层的其他部分通常由光刻胶或硬掩模覆盖，光刻胶或硬掩模不受蚀刻剂影响或在较小程度上受蚀刻剂影响。因此，通过光刻胶或硬掩模从蚀刻剂保护了将不被移除的材料层的一部分。一旦蚀刻掉材料层或材料层的一部分，就移除光刻胶或硬掩模，以暴露图案化的材料层或未被蚀刻剂蚀刻掉的材料层的保留部分。

发明内容

本公开提供一种半导体装置制造方法。半导体装置制造方法包括形成第一介电层；在第一介电层上方形成第一半导体层；图案化第一半导体层，以形成图案化的第一半导体层；使用图案化的第一半导体层来图案化第一介电层，以形成图案化的第一介电层；以及在图案化的第一介电层和图案化的第一半导体层上方形成第二半导体层。

本公开提供一种半导体装置制造方法。半导体装置制造方法包括形成氮化硅层；在氮化硅层上方形成硅层；以及图案化硅层，以在氮化硅层中形成凹陷和形成包括第一硅结构和第二硅结构的图案化的硅层。

本公开提供一种半导体装置制造方法。半导体装置制造方法包括在氧化层上方形成第一介电层；在第一介电层上方形成第一半导体层；执行第一蚀刻，以从第一半导体层形成第一半导体结构和第二半导体结构；以及执行第二蚀刻，以改变第一半导体结构的剖面轮廓，其中第一蚀刻或第二蚀刻中的至少一者在第一介电层中形成凹陷。

附图说明

本公开实施例可通过阅读以下的详细说明以及范例并配合相应的附图以更详细地了解。需要强调的是，依照业界的标准操作，各种特征部件并未依照比例绘制，并且仅用于说明的目的。事实上，为了清楚论述，各种特征部件的尺寸可以任意地增加或减少。

图1A是根据一或多个实施例的在一个工艺阶段的半导体装置的剖面图。

图1B是根据一或多个实施例的在一个工艺阶段的半导体装置的俯视图，其中图1A是延着图1B的线段1-1截取的。

图2A是根据一或多个实施例的在一个工艺阶段的半导体装置的剖面图。

图2B是根据一或多个实施例的在一个工艺阶段的半导体装置的俯视图，其中图2A是延着图2B的线段2-2截取的。

图3A是根据一或多个实施例的在一个工艺阶段的半导体装置的剖面图。

图3B是根据一或多个实施例的在一个工艺阶段的半导体装置的俯视图，其中图3A是延着图3B的线段3-3截取的。

图4A是根据一或多个实施例的在一个工艺阶段的半导体装置的剖面图。

图4B是根据一或多个实施例的在一个工艺阶段的半导体装置的俯视图，其中图4A是延着图4B的线段4-4截取的。

图5A是根据一或多个实施例的在一个工艺阶段的半导体装置的剖面图。

图5B是根据一或多个实施例的在一个工艺阶段的半导体装置的俯视图，其中图5A是延着图5B的线段5-5截取的。