[发明专利]非易失性半导体存储器装置及其擦除控制电路、方法

权利要求书

1.一种非易失性半导体存储器装置的擦除控制电路，所述擦除控制电路控制对所述非易失性半导体存储器装置的存储器单元中的数据进行擦除的擦除电压，所述擦除控制电路包括：

斜率调整电路，基于所述擦除电压的擦除脉冲的步进电压、目标电压以及步进宽度，控制所述擦除电压的擦除脉冲的所述步进电压、所述目标电压以及所述步进宽度，从而控制具有台阶形状的斜率，以产生所述擦除电压，

其中，所述斜率调整电路包括：

擦除电压产生电路，对于每一预定时钟脉冲控制信号，基于所述步进电压及所述目标电压，以所述步进电压将所述擦除电压重复地增大至所述目标电压；以及

时间计数器电路，基于所述步进宽度对与所述步进宽度对应的每一时间间隔重复地进行计时，从而将所述时钟脉冲控制信号输出至所述擦除电压产生电路。

2.一种非易失性半导体存储器装置，包括权利要求1所述的非易失性半导体存储器装置的擦除控制电路。

3.一种非易失性半导体存储器装置的擦除控制方法，所述擦除控制方法用于控制对所述非易失性半导体存储器装置的存储器单元中的数据进行擦除的擦除电压，所述擦除控制方法包括以下步骤：

基于所述擦除电压的擦除脉冲的步进电压、目标电压以及步进宽度，控制所述擦除电压的擦除脉冲的所述步进电压、所述目标电压以及所述步进宽度，从而控制具有台阶形状的斜率，以产生所述擦除电压，

其中，所述产生所述擦除电压的步骤包括以下步骤：

对于每一预定时钟脉冲控制信号，基于所述步进电压及所述目标电压，以所述步进电压将所述擦除电压重复地增大至所述目标电压；以及

基于所述步进宽度对与所述步进宽度对应的每一时间间隔重复地进行计时，从而输出所述时钟脉冲控制信号。