[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

所述半导体衬底上形成有晶体管，所述晶体管包括栅介质层、位于栅介质层上的栅电极、以及位于栅电极和栅介质层两侧的半导体衬底中的源区和漏区；

形成覆盖所述晶体管的保护层，所述保护层至少包括富硅氮化硅层，所述富硅氮化硅层用于吸附和存储后段制作工艺中产生的等离子体电荷。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述保护层上形成底层介质层；

在所述底层介质层和保护层中形成与栅电极和/或源区以及漏区连接的金属插塞；

在形成金属插塞后，进行后段制作工艺，所述富硅氮化硅层用于吸附和存储所述金属插塞中传输的所述后段制作工艺中产生的等离子体电荷。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层包括富硅氮化硅层和位于所述富硅氮化硅层上的氮化硅层，所述富硅氮化硅层中的硅元素的含量大于氮化硅层中硅元素的含量。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层包括氮化硅层和位于所述氮化硅层上的富硅氮化硅层，所述富硅氮化硅层中的硅元素的含量大于氮化硅层中硅元素的含量。

5.如权利要求1或2或3或4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述富硅氮化硅层中的硅元素和氮元素的比值≥1:1。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述富硅氮化硅层的工艺为化学气相沉积，所述化学气相沉积采用的气体包括硅烷和氨气，硅烷和氨气的流量比≥1:1。

7.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述富硅氮化硅层的厚度范围为30～350埃。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述后段制作工艺包括互连线制作工艺或者存储阵列制作工艺，所述互连线制作工艺用于形成若干互连线，至少部分所述互连线与所述金属插塞电连接，所述存储阵列制作工艺用于形成存储阵列，至少部分存储阵列与所述金属插塞电连接。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述后段制作工艺中采用到等离子刻蚀工艺，所述等离子刻蚀工艺中会产生等离子电荷，所述等离子电荷通过所述金属插塞传输。

10.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述互连线制作工艺或者存储阵列制作工艺中采用到等离子刻蚀工艺，所述等离子刻蚀工艺中会产生等离子电荷，所述等离子电荷通过所述金属插塞传输。

11.一种半导体结构，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底上形成有晶体管，所述晶体管包括栅介质层、位于栅介质层上的栅电极、以及位于栅电极和栅介质层两侧的半导体衬底中的源区和漏区；

覆盖所述晶体管的保护层，所述保护层至少包括富硅氮化硅层；

位于所述保护层上的底层介质层；

位于所述底层介质层和保护层中的与栅电极和/或源区以及漏区连接的金属插塞，所述富硅氮化硅层用于吸附和存储所述金属插塞中传输的在形成金属插塞后进行的后段制作工艺中产生的等离子体电荷。

12.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层包括富硅氮化硅层和位于所述富硅氮化硅层上的氮化硅层，所述富硅氮化硅层中的硅元素的含量大于氮化硅层中硅元素的含量。

13.如权利要求11述的半导体结构，其特征在于，所述保护层包括氮化硅层和位于所述氮化硅层上的富硅氮化硅层，所述富硅氮化硅层中的硅元素的含量大于氮化硅层中硅元素的含量。