[发明专利]半导体存储器装置

说明书

提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：堆叠结构，具有竖直堆叠在基底上的多个层，每个层包括：第一位线和栅极线，在第一方向上延伸，第一半导体图案，在第一位线和栅极线之间沿第二方向延伸，第二方向与第一方向交叉，以及第二半导体图案，跨越第一栅极绝缘层与栅极线相邻，第二半导体图案在第一方向上延伸；第一字线，与第一半导体图案相邻并从基底在第三方向上竖直延伸，第三方向与第一方向和第二方向垂直；第二位线，连接到第二半导体图案的一端并从基底在第三方向上竖直延伸；以及第二字线，连接到第二半导体图案的另一端并在第三方向上竖直延伸。

本申请要求于2019年1月11日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0003845号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

一些示例实施例涉及半导体装置，更具体地，涉及集成度增大的三维半导体存储器装置。

背景技术

半导体装置已经被高度集成，改善了半导体装置的性能并降低了半导体装置的制造成本以满足用户的需求。由于半导体装置的集成密度是决定产品价格的重要因素，因此越来越需要高度集成的半导体装置。典型的二维或平面半导体装置的集成度主要由被单位存储器单元占据的面积决定，使得其受用于形成精细图案的技术水平的影响。然而，用于提高图案精细度的昂贵加工设备在增大二维或平面半导体装置的集成度方面设置了实际障碍。因此，已经提出了具有三维布置的存储器单元的三维半导体存储器装置，用于实现高度集成的半导体装置而不采用昂贵的处理设备。

发明内容

一些示例实施例提供具有增大的集成度的三维半导体存储器装置。

根据一些示例实施例，半导体存储器装置可以包括：堆叠结构，包括竖直堆叠在基底上的多个层，所述多个层中的每个层包括：第一位线，在第一方向上延伸，栅极线，在第一方向上延伸，第一半导体图案，在第一位线和栅极线之间沿第二方向延伸，第二方向与第一方向交叉，以及第二半导体图案，跨越第一栅极绝缘层与栅极线相邻，第二半导体图案在第一方向上延伸；第一字线，与第一半导体图案的一侧相邻并从基底在第三方向上竖直延伸，第三方向与第一方向和第二方向垂直；第二位线，连接到第二半导体图案的第一端并从基底在第三方向上竖直延伸；以及第二字线，连接到第二半导体图案的第二端并在第三方向上竖直延伸，第二端与第一端相对。

根据一些示例实施例，半导体存储器装置可以包括：堆叠结构，包括竖直堆叠在基底上的多个层，所述多个层中的每个层包括：第一位线，在第一方向上延伸，栅极线，在第一方向上延伸，第一半导体图案，连接到第一位线和栅极线，以及第二半导体图案，跨越第一栅极绝缘层与栅极线相邻；第一字线，跨越第二栅极绝缘层与第一半导体图案的一侧相邻，第一字线从基底竖直延伸；电容器电极，跨越介电层与接触件相邻，电容器电极从基底竖直延伸，接触件连接到第一半导体图案；第二位线，连接到第二半导体图案的第一端并从基底竖直延伸；以及第二字线，连接到第二半导体图案的第二端并从基底竖直延伸，第二端与第一端相对。

根据一些示例实施例，半导体存储器装置可以包括：堆叠结构，包括竖直堆叠在基底上的多个层，所述多个层中的每个层包括：第一导线，在第一方向上延伸，第二导线，在第一方向上延伸，第一半导体图案，在第一导线和第二导线之间沿第二方向延伸，每个第一半导体图案在第一方向上设置，第二方向与第一方向交叉，以及第二半导体图案，与第二导线相邻，每个第二半导体图案在第一方向上设置；以及第三导线，位于第一导线和第二导线之间并从基底在第三方向上竖直延伸，第三方向与第一方向和第二方向垂直，一对第三导线设置在所述一对第三导线之间的一个第一半导体图案的相对侧上。

附图说明

图1示出了展示根据一些示例实施例的三维半导体存储器装置的透视图。

图2示出了展示根据一些示例实施例的三维半导体存储器装置的透视图。

图3A示出了展示根据一些示例实施例的三维半导体存储器装置的平面图。