[发明专利]降低CMOS图像传感器中随机电报噪声的结构及形成方法

权利要求书

1.降低CMOS图像传感器中随机电报噪声的结构，其特征在于，该结构至少包括：

位于外延层上的转移管和该转移管一侧的光电二极管；所述光电二极管的上表面设有钉扎层；所述转移管的多晶硅栅极下设有不同厚度的氧化硅层，其中靠近所述钉扎层一端的所述转移管的多晶硅栅极下的所述氧化硅层厚度小于所述转移管的多晶硅栅极下其余部分的所述氧化硅层厚度。

2.根据权利要求1所述的降低CMOS图像传感器中随机电报噪声的结构，其特征在于：所述结构还包括：位于该外延层上的复位管；该复位管的栅极两侧分别设有N+区域；所述N+区域位于所述外延层上的P阱中，其中一个所述N+区域位于所述转移管的多晶硅栅极的另一侧区域，该区域形成浮动扩散点。

3.根据权利要求2所述的降低CMOS图像传感器中随机电报噪声的结构，其特征在于：所述浮动扩散点上方与所述转移管的多晶硅栅极之间的区域设有所述氧化硅层，该区域的所述氧化硅层的厚度与所述转移管的多晶硅栅极下其余部分的所述的氧化硅层厚度相同。

4.根据权利要求3所述的降低CMOS图像传感器中随机电报噪声的结构，其特征在于：所述钉扎层上表面设有与所述转移管的多晶硅栅极下其余部分的所述氧化硅层厚度相同的氧化硅层；所述转移管的多晶硅栅极设有侧墙；所述钉扎层上暴露在外的所述氧化硅层上表面、所述转移管多晶硅栅极及其侧墙上设有薄膜层。

5.根据权利要求4所述的降低CMOS图像传感器中随机电报噪声的结构，其特征在于：所述浮动扩散点上的N+区域连接一放大管，该放大管连接一选择管，所述选择管的栅极接电压VDD；所述复位管另一侧的所述N+区域连接电压VDD。

6.根据权利要求1至5任意一项所述的降低CMOS图像传感器中随机电报噪声的结构的形成方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：

步骤一、提供外延层，该外延层上设有光电二极管；

步骤二、在所述外延层上表面的所述光电二极管的一端区域进行氮离子注入；

步骤三、在所述外延层上表面生长氧化硅层，其中所述氮离子注入的区域形成薄层氧化硅，其余部分形成厚层氧化硅，所述薄层氧化硅的厚度小于所述厚层氧化硅的厚度；

步骤四、形成覆盖一部分所述薄层氧化硅和一部分厚层氧化硅的转移管的多晶硅栅极；

步骤五、在所述光电二极管上表面、所述氧化硅层的下表面进行离子注入形成钉扎层；

步骤六、形成转移管的多晶硅栅极侧墙，以及在暴露在外的所述氧化硅层和所述转移管的多晶硅栅极上覆盖一薄膜层。

7.根据权利要求6所述的降低CMOS图像传感器中随机电报噪声的结构，其特征在于：步骤二中进行氮离子注入的方式是利用光罩在所述外延层上表面的所述光电二极管的一端区域进行氮离子掺杂。

8.根据权利要求7所述的降低CMOS图像传感器中随机电报噪声的结构，其特征在于：步骤一中的外延层已经进行了形成N+区域的离子注入，所述N+区域位于所述转移管的多晶硅栅极一侧的区域，形成浮动扩散点。

9.根据权利要求8所述的降低CMOS图像传感器中随机电报噪声的结构，其特征在于：在所述转移管的多晶硅栅极上施加负压时，所述薄层氧化硅下的沟道区域电场增强。