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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]图像传感器-CN202210338610.7在审
发明人：吴官泳;金美惠;朴东赫;朴智元;李承旭;李海源 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器包括：第一浮动扩散区；第二浮动扩散区，其在第一方向上与第一浮动扩散区相邻；第三浮动扩散区，其在垂直于第一方向的第二方向上与第一浮动扩散区相邻；以及第四浮动扩散区，其在第二方向上与第二浮动扩散区相邻焊盘设置在第一浮动扩散区和第二浮动扩散区上。焊盘至少部分地与第一浮动扩散区和第二浮动扩散区重叠。图像传感器包括互连线以及将焊盘连接至互连线的第一接触件。焊盘的第一表面设置在第一浮动扩散区和第二浮动扩散区上。器件隔离图案限定第一浮动扩散区、第二浮动扩散区、第三浮动扩散区和第四浮动扩散区。
图像传感器

[发明专利]获取图像数据的方法、高动态范围成像系统及像素单元-CN201510011546.1有效
发明人： J·索尔胡斯维克;R·约翰松 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2015-01-09 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H04N5/355 文献下载
摘要：接着，复位所述像素的浮动扩散节点。将所述浮动扩散设定到低转换增益且从所述浮动扩散节点取样低转换增益复位信号。将所述浮动扩散设定到高转换增益且从所述浮动扩散节点取样高转换增益复位信号。将电荷载流子从所述光电检测器转移到所述浮动扩散节点且接着从所述浮动扩散节点取样高转换图像信号。将所述浮动扩散设定到低转换增益。再次将电荷载流子从所述光电检测器转移到所述浮动扩散节点且从所述浮动扩散节点取样低转换图像信号。
获取图像数据方法动态范围成像系统像素单元

[发明专利]固态摄像元件和电子设备-CN202080086937.9在审
发明人：半泽克彦;新田嘉一;村上裕隆;西村和将;马克·布德;埃里克·克里斯托弗·穆勒 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：一种固态摄像元件，包括：一对第一浮动扩散层，它们布置在与预定方向垂直的垂直方向上；一对第二浮动扩散层，它们布置在所述垂直方向上，并且与所述一对第一浮动扩散层在所述预定方向上相邻；第一连接电路，其被构造为选择所述一对第一浮动扩散层中的至少一者并且将所选择的第一浮动扩散层连接到预定的第一配线；第二连接电路，其被构造为选择所述一对第二浮动扩散层中的至少一者并且将所选择的第二浮动扩散层连接到所述第一配线；以及输出电路，其被构造为输出与所述一对第一浮动扩散层和所述一对第二浮动扩散层中的至少一个浮动扩散层的电荷量相对应的输出信号
固态摄像元件电子设备

[发明专利]包括DRAM电容器的图像传感器及其操作方法-CN202210282446.2在审
发明人：沈殷燮;安正言卓;李景镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：多个像素中的每一个包括：第一光电二极管；传输晶体管，连接到第一光电二极管；第一浮动扩散节点、第二浮动扩散节点和第三浮动扩散节点，所述第一浮动扩散节点、第二浮动扩散节点和第三浮动扩散节点连接到传输晶体管以累积由第一光电二极管产生的电荷；LCG电容器，连接到第三浮动扩散节点以累积由第一光电二极管产生的电荷；MCG晶体管，连接在第一浮动扩散节点与第二浮动扩散节点之间；以及LCG晶体管，连接到第三浮动扩散节点。
包括 dram 电容器图像传感器及其操作方法

[发明专利]一种像素单元，图像传感器和探测装置-CN202110482982.2在审
发明人：雷述宇 -专利权人：宁波飞芯电子科技有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：本发明公开了一种像素单元，包括：光电二极管，用于生成光生电子；传输晶体管，用于控制所述光生电子的传输；浮动扩散电容，用于存储所述光生电子，其中，所述光电二极管通过传输晶体管连接至浮动扩散电容，所述浮动扩散电容的一端连接可变电压通过控制浮动扩散电容上的电压，在光照强度比较大时，对浮动扩散电容施加高电压，提高该浮动扩散电容的满阱容量，用于提高该图像传感器的动态范围；相应的，在光照强度比较弱时，对浮动扩散电容施加高电压，降低该浮动扩散电容的满阱容量
一种像素单元图像传感器探测装置

[实用新型]图像传感器-CN201921132625.8有效
发明人：鲁斯蒂·卫哲瑞德 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H04N5/225 文献下载
摘要：每个成像像素可以具有响应于入射光生成电荷的光电二极管、浮动扩散区和将电荷从光电二极管转移到浮动扩散区的转移晶体管。每个浮动扩散区可以具有由位于半导体衬底中的n型区和p型区之间的耗尽区形成的相关联的电容。为了能够在电压域中实现选择性合并，多个晶体管可以耦接到浮动扩散电容器。第一多个像素可以将浮动扩散电容器选择性地耦接到接地部。第二多个像素可以选择性地将浮动扩散电容器耦接到相邻像素的浮动扩散电容器。在读出期间，多个浮动扩散电容器的电压可以非破坏性地合并在单个浮动扩散电容器上。
图像传感器

[发明专利]具有结合可配置共享浮动扩散的像素装仓的图像传感器-CN201780022435.8有效
发明人：富正明;金秀尹;J·C·胡贝尔 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-03-09 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H04N5/347 文献下载
摘要：本发明呈现用于具有结合可配置共享浮动扩散的像素分仓的图像传感器的方法、系统、计算机可读媒体和设备。在一个实例中，一种图像传感器系统包含：多个传感器元件；光敏层，其耦合到所述多个传感器元件；多个浮动扩散区，其与所述光敏层通信，所述多个浮动扩散区中的每一浮动扩散区经配置以选择性地启用；以及一或多个桥接器，其耦合到所述多个浮动扩散区中的两个浮动扩散区，所述桥接器经配置以选择性地启用，且在启用时，允许电荷在所述两个浮动扩散区之间传送。
具有结合配置共享浮动扩散素装图像传感器

[发明专利]图像感测设备和操作其的方法-CN201210256758.2在审
发明人：李泰渊;朴允童;李容济;金升炫;孔珠荣;洪性权 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-07-23 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H04N5/357 文献下载
摘要：在操作图像传感器的方法中，在向浮动扩散区域施加重置电压之后采样浮动扩散区域的噪声电压。在采样噪声电压之后将存储光电电荷的存储区域和浮动扩散区域电连接，在存储区域和浮动扩散区域被电连接之后采样浮动扩散区域的解调电压。基于噪声电压和解调电压来确定电压。
图像设备操作方法

[发明专利]具连接到浮动扩散区的半导体电容的背感光式半导体结构-CN201410628233.6有效
发明人：陈经纬;颜文正 -专利权人：原相科技股份有限公司
申请日： 2014-11-10 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明是一种具连接到浮动扩散区的半导体电容的背感光式半导体结构，其可通过在浮动扩散区上方设置半导体电容来缩减浮动扩散区的面积，减少照光时，入射光线对于浮动扩散区的影响，并可增进收光效率。
浮动扩散区半导体电容感光式半导体入射光线收光效率照光

[发明专利]图像传感器-CN202211261665.9在审
发明人：崔珉准;秋明来;金石山;徐珉雄;宋智娟;郑絃溶 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H04N25/46 文献下载
摘要：多个像素中的每一个包括灵敏度基于外部电压来调整的有机光电二极管、硅光电二极管、第一浮动扩散节点、第二浮动扩散节点、转换增益晶体管和驱动晶体管。由硅光电二极管生成的电荷在第一浮动扩散节点中累积。由有机光电二极管生成的电荷在第二浮动扩散节点中累积。转换增益晶体管的一端连接到第一浮动扩散节点，并且另一端连接到第二浮动扩散节点。驱动晶体管被配置为生成与第一浮动扩散节点的电压对应的像素信号。
图像传感器

[发明专利]成像元件和成像装置-CN202180063850.4在审
发明人：町田贵志 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：根据本公开一个实施方案的成像元件包括：保持电荷的浮动扩散层(FD)；共享所述浮动扩散层(FD)的四个以上的光电转换元件(PD)；和多个传输栅(TG)，其针对共享所述浮动扩散层(FD)的四个以上的所述光电转换元件(PD)中的每个设置，并且被构造为从共享所述浮动扩散层(FD)的四个以上的所述光电转换元件(PD)输出电荷。共享所述浮动扩散层(FD)的四个以上的所述光电转换元件(PD)连同所述浮动扩散层(FD)一起以矩阵状配置，和不共享所述浮动扩散层(FD)的两个以上的所述光电转换元件(PD)中的每个的所述传输栅(TG)彼此一体化
成像元件装置

[发明专利]摄像装置-CN201880047158.0有效
发明人：山下浩史 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：本发明提供一种摄像装置，其设有具有多个像素的摄像单元，其中，各像素包括：转换元件，将入射光转换成光电子；浮动扩散层，电连接到所述转换元件并将所述光电子转换为电压信号；差分放大电路，用于放大所述浮动扩散层的电位，电连接到所述浮动扩散层，并且包括被输入所述浮动扩散层的电位的放大晶体管；反馈晶体管，电连接到所述放大晶体管并初始化所述差分放大电路；钳位电容，串联连接在所述浮动扩散层和所述放大晶体管之间；和复位晶体管，并联连接在所述浮动扩散层和所述钳位电容之间，并初始化所述浮动扩散层的电位。
摄像装置

[实用新型]成像传感器和成像像素-CN201720516705.8有效
发明人： V·克洛伯夫;R·M·奎达什 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种图像传感器和成像像素，所述图像传感器可包括具有浮动扩散区的对称成像像素。所述浮动扩散区可形成在所述成像像素的中心中。浅p阱可围绕所述浮动扩散区形成。被配置为将电荷从光电二极管转移到所述浮动扩散区的转移门可为具有与所述浮动扩散区重叠的开口的环形形状。包括深沟槽隔离和p阱的隔离区可围绕所述成像像素的光电二极管。p条带可将围绕所述浮动扩散区的所述浅p阱耦接到所述隔离区。相邻像素的浮动扩散区可采用附加的导电层耦接在一起以实现共享配置。
成像传感器像素

[发明专利]具有抬高式浮动扩散部的图像传感器-CN202110724034.5在审
发明人：文成烈;姜熙秀 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请案涉及一种具有抬高式浮动扩散部的图像传感器。形成一种具有抬高式浮动扩散区域的像素单元以减少扩散泄漏(例如栅致漏极泄漏、结泄漏等)。所述浮动扩散区域可经由通过在半导体衬底上及掺杂浮动扩散区域下面安置中介层(例如未掺杂、轻掺杂等)分离所述掺杂浮动扩散区域与所述半导体衬底来抬高。例如，所述抬高式浮动扩散区域可由轻掺杂或未掺杂基底或中介层及重掺杂(例如As掺杂)“抬高式”层构成的堆叠式材料层形成。在一些实例中，所述堆叠式材料层可由第一及第二外延生长层形成。
具有抬高浮动扩散图像传感器

[发明专利]像素结构、图像传感器、电子设备及控制方法-CN202210225684.X在审
发明人：张盛鑫;徐辰 -专利权人：思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H04N25/57 文献下载
摘要：本发明提供一种像素结构、图像传感器、电子设备及控制方法，像素结构包括阵列排布的多个像素单元，像素单元包括：第一光电转换元件；第一传输晶体管，耦接至第一浮动扩散区，用于将第一光电转换元件累积的电荷转移至第一浮动扩散区；第二光电转换元件，第二光电转换元件的灵敏度小于第一光电转换元件的灵敏度；第二传输晶体管，耦接至第二浮动扩散区，用于将第二光电转换元件累积的电荷转移至第二浮动扩散区；读出电路，耦接至第一浮动扩散区和第二浮动扩散区，用于对第一浮动扩散区和第二浮动扩散区的电压信号进行读出。
像素结构图像传感器电子设备控制方法

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