[发明专利]具有减少的缺陷的半导体外延结构

权利要求书

1.一种具有减少的缺陷的半导体外延结构，其特征在于，该具有减少的缺陷的半导体外延结构包含：

基底，该基底上具有凹槽；

岛状绝缘体，设置在该凹槽的底面上；

间隔壁，设置在该凹槽的侧壁上；

缓冲层，设置在该凹槽中并盖住该岛状绝缘体；

通道层，设置在该凹槽中以及该缓冲层上；以及

阻障层，设置在该凹槽中以及该通道层上，其中该阻障层、该通道层以及该缓冲层都为该间隔壁所围绕，且该通道层中形成二维电子气或是二维空穴气。

2.根据权利要求1所述的具有减少的缺陷的半导体外延结构，其中该岛状绝缘体从该基底向上渐缩。

3.根据权利要求1所述的具有减少的缺陷的半导体外延结构，其中该岛状绝缘体向下渐缩至该基底。

4.根据权利要求1所述的具有减少的缺陷的半导体外延结构，其中该间隔壁该基底向上渐缩。

5.根据权利要求1所述的具有减少的缺陷的半导体外延结构，其中该间隔壁向下渐缩至该基底。

6.根据权利要求1所述的具有减少的缺陷的半导体外延结构，其中该缓冲层由下而上依序包括成核层、超晶格层、以及碳掺杂氮化镓层。

7.根据权利要求6所述的具有减少的缺陷的半导体外延结构，其中该成核层的材料为氮化铝镓或氮化铝。

8.根据权利要求6所述的具有减少的缺陷的半导体外延结构，其中该超晶格层为氮化铝镓/氮化镓的交互叠层或是氮化铝镓/氮化铟镓的交互叠层。

9.根据权利要求1所述的具有减少的缺陷的半导体外延结构，其中该通道层的材料为未掺杂氮化镓。

10.根据权利要求1所述的具有减少的缺陷的半导体外延结构，其中该阻障层的材料为氮化铝镓。

11.一种具有减少的缺陷的半导体外延结构，其特征在于，该具有减少的缺陷的半导体外延结构包含：

基底；

绝缘层，设置在该基底上，其中该绝缘层中具有一凹槽裸露出该基底；

岛状绝缘体，设置在该凹槽中的该基底上；

间隔壁，设置在该凹槽的侧壁上；

缓冲层，设置在该凹槽中并盖住该岛状绝缘体；

通道层，设置在该凹槽中以及该缓冲层上；以及

阻障层，设置在该凹槽中以及该通道层上，其中该阻障层、该通道层以及该缓冲层都为该间隔壁所围绕，且该通道层中形成二维电子气或是二维空穴气。

12.根据权利要求11所述的具有减少的缺陷的半导体外延结构，其中该岛状绝缘体从该基底向上渐缩。

13.根据权利要求11所述的具有减少的缺陷的半导体外延结构，其中该岛状绝缘体向下渐缩至该基底。

14.根据权利要求11所述的具有减少的缺陷的半导体外延结构，其中该间隔壁该基底向上渐缩。

15.根据权利要求11所述的具有减少的缺陷的半导体外延结构，其中该间隔壁向下渐缩至该基底。

16.根据权利要求11所述的具有减少的缺陷的半导体外延结构，其中该缓冲层由下而上依序包括成核层、超晶格层、以及碳掺杂氮化镓层。

17.根据权利要求16所述的具有减少的缺陷的半导体外延结构，其中该成核层的材料为氮化铝镓或氮化铝。

18.根据权利要求16所述的具有减少的缺陷的半导体外延结构，其中该超晶格层为氮化铝镓/氮化镓的交互叠层或是氮化铝镓/氮化铟镓的交互叠层。