[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

提供了一种半导体装置的制造方法。该方法包括利用不同的材料层形成牺牲层，并且蚀刻牺牲层。

技术领域

本公开总体上涉及半导体装置的制造方法，更具体地，涉及一种包括多个材料层的半导体装置的制造方法。

背景技术

半导体装置可包括存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括多个存储器单元。存储器单元阵列可包括按照各种结构布置的存储器单元。为了改进半导体装置的集成度，存储器单元可三维布置在基板上。多个材料层层叠的层叠结构可用于制造三维布置的存储器单元。

发明内容

根据本公开的一方面，提供了一种制造半导体装置的方法，该方法可包括以下步骤：在下层上形成第一材料层；在第一材料层上形成第二材料层；在第二材料层上形成第三材料层；在第三材料层上形成上层；形成穿透上层以及第一材料层、第二材料层和第三材料层的狭缝；以及通过狭缝蚀刻第一材料层、第二材料层和第三材料层，其中，第一材料层和第三材料层比第二材料层更快速地被蚀刻，使得在上层和第二材料层之间形成第一间隙并且在下层和第二材料层之间形成第二间隙。

根据本公开的一方面，提供了一种制造半导体装置的方法，该方法可包括以下步骤：形成层间绝缘层和多牺牲层交替地层叠的层叠结构，其中，多牺牲层通过层叠第一材料层和第二材料层来形成；形成穿透层叠结构的多个沟道结构；形成穿透多个沟道结构之间的层叠结构的狭缝；通过狭缝蚀刻多牺牲层，其中，第一材料层比第二材料层更快速地被蚀刻；以及利用导电图案填充多牺牲层被去除的区域。

根据本公开的一方面，提供了一种制造半导体装置的方法，该方法可包括以下步骤：形成源极层和多牺牲层交替地层叠的层叠结构，其中，多牺牲层通过层叠第一材料层和第二材料层来形成；在层叠结构上形成由沟道结构穿透的多个栅极层叠结构；形成穿透多个栅极层叠结构之间暴露的多牺牲层的狭缝；蚀刻多牺牲层，其中，第一材料层比第二材料层更快速地被蚀刻；以及利用接触源极层填充多牺牲层被去除的区域。

附图说明

图1A至图1E是示出根据实施方式的半导体装置的制造方法的工艺截面图。

图2A和图2B是示意性地示出根据实施方式的半导体装置的框图。

图3是示意性地示出外围电路结构的截面图。

图4A至图4E是示意性地示出根据实施方式的半导体装置的立体图。

图5是示出根据实施方式的半导体装置的栅极层叠结构的截面图。

图6A至图6G是示出根据实施方式的半导体装置的制造方法的截面图。

图7是示出根据实施方式的半导体装置的栅极层叠结构和源极层的截面图。

图8A至图8F是示出根据实施方式的半导体装置的制造方法的截面图。

图9是示出根据实施方式的存储器系统的配置的框图。

图10是示出根据实施方式的计算系统的框图。

具体实施方式

为了描述根据本公开的概念的实施方式，本文所公开的具体结构或功能描述仅是例示性的。根据本公开的概念的实施方式可按照各种形式实现，不能被解释为限于本文中所阐述的实施方式。

根据本公开的概念的实施方式可被不同地修改并具有各种形状。因此，实施方式示出于附图中并旨在于本文中详细描述。然而，根据本公开的概念的实施方式不应被解释为限于指定的公开，而是包括不脱离本公开的精神和技术范围的所有改变、等同物或替代。

尽管诸如“第一”和“第二”的术语可用于描述各种组件，但这些组件不能被理解为限于上述术语。上述术语用于将一个组件与另一组件相区分。例如，在不脱离本公开的权利范围的情况下，第一组件可被称为第二组件，同样，第二组件可被称为第一组件。