[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：

在下层上形成第一材料层；

在所述第一材料层上形成第二材料层；

在所述第二材料层上形成第三材料层；

在所述第三材料层上形成上层；

形成穿透所述上层以及所述第一材料层、所述第二材料层和所述第三材料层的狭缝；以及

通过所述狭缝蚀刻所述第一材料层、所述第二材料层和所述第三材料层，其中，所述第一材料层和所述第三材料层比所述第二材料层更快速地被蚀刻，使得在所述上层和所述第二材料层之间形成第一间隙并且在所述下层和所述第二材料层之间形成第二间隙。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第三材料层包括与所述第一材料层相同的材料，并且所述第二材料层包括与所述第一材料层不同的材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，蚀刻所述第一材料层、所述第二材料层和所述第三材料层的步骤包括在所述上层和所述下层之间形成层间空间。

4.根据权利要求3所述的方法，该方法还包括利用第四材料层填充所述层间空间。

5.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述第二材料层形成为比所述第一材料层更厚，并且

其中，所述第二材料层形成为比所述第三材料层更厚。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一材料层和所述第三材料层中的每一个包括硼磷硅酸盐玻璃BPSG、未掺杂硅酸盐玻璃USG、磷硅酸盐玻璃PSG和多孔氮化物层中的至少一种，并且

所述第二材料层包括氮化硅层，并且

其中，蚀刻所述第一材料层、所述第二材料层和所述第三材料层的步骤包括通过经由所述狭缝提供包括磷酸H₃PO₄的蚀刻材料来去除所述第一材料层、所述第二材料层和所述第三材料层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一材料层和所述第三材料层中的每一个包括掺杂硅，并且

所述第二材料层包括未掺杂硅，并且

其中，蚀刻所述第一材料层、所述第二材料层和所述第三材料层的步骤包括通过经由所述狭缝提供利用包括氟化氢HF、硝酸HNO₃和乙酸CH₃COOH的化学材料配置的蚀刻材料来去除所述第一材料层、所述第二材料层和所述第三材料层。

8.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述第一材料层具有高于所述第二材料层的蚀刻速率，并且

其中，所述第三材料层具有高于所述第二材料层的蚀刻速率。

9.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：

形成层间绝缘层和多牺牲层交替地层叠的层叠结构，其中，通过层叠第一材料层和第二材料层来形成所述多牺牲层；

形成穿透所述层叠结构的多个沟道结构；

形成在多个所述沟道结构之间穿透所述层叠结构的狭缝；

通过所述狭缝蚀刻所述多牺牲层，其中，所述第一材料层比所述第二材料层更快速地被蚀刻；以及

利用导电图案填充所述多牺牲层被去除的区域。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第二材料层形成为比所述第一材料层更厚。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一材料层包括硼磷硅酸盐玻璃BPSG、未掺杂硅酸盐玻璃USG、磷硅酸盐玻璃PSG和多孔氮化物层中的至少一种，并且

所述第二材料层包括氮化硅层，并且

其中，蚀刻所述多牺牲层的步骤包括通过经由所述狭缝提供包括磷酸H₃PO₄的蚀刻材料来去除所述第一材料层和所述第二材料层。