[发明专利]半导体模块

权利要求书

1.一种半导体模块，其中，具备：

第1外部端子；

第2外部端子；

第1半导体开关元件，电连接在上述第1外部端子与上述第2外部端子之间，具有第1栅极电极；

第2半导体开关元件，在上述第1外部端子与上述第2外部端子之间，与上述第1半导体开关元件电气地并联连接，具有第2栅极电极；

第1熔断部，电连接在上述第1外部端子与上述第1半导体开关元件之间；以及

第2熔断部，电连接在上述第2外部端子与上述第1半导体开关元件之间，

在上述第1半导体开关元件与上述第1熔断部之间未设置半导体开关元件，

在上述第1半导体开关元件与上述第2熔断部之间未设置半导体开关元件。

2.如权利要求1所述的半导体模块，其中，

上述第1熔断部包括第1绝缘层和上述第1绝缘层之上的多个第1线状导体，

上述第2熔断部包括第2绝缘层和上述第2绝缘层之上的多个第2线状导体。

3.如权利要求2所述的半导体模块，其中，

上述第1线状导体及上述第2线状导体的长度是1mm以上且10mm以下。

4.如权利要求2或3所述的半导体模块，其中，

上述第1线状导体及上述第2线状导体的厚度是0.1μm以上且1.3μm以下，上述第1线状导体及上述第2线状导体的厚度之差是0.3μm以下。

5.如权利要求2所述的半导体模块，其中，

上述第1线状导体及上述第2线状导体含有铝。

6.如权利要求1所述的半导体模块，其中，还具备：

第3熔断部，电连接在上述第1外部端子与上述第2半导体开关元件之间；以及

第4熔断部，电连接在上述第2外部端子与上述第2半导体开关元件之间。

7.如权利要求1所述的半导体模块，其中，

还具备第3半导体开关元件，该第3半导体开关元件在上述第1外部端子与上述第2外部端子之间，与上述第1半导体开关元件电气地并联连接，具有第3栅极电极，

上述第1熔断部电连接在上述第1外部端子与上述第3半导体开关元件之间，

上述第2熔断部电连接在上述第2外部端子与上述第3半导体开关元件之间。

8.如权利要求1所述的半导体模块，其中，

还具备电连接在上述第1外部端子及上述第2外部端子的某一方与上述第1栅极电极之间的过电压保护元件。

9.如权利要求8所述的半导体模块，其中，

上述过电压保护元件包括第1齐纳二极管。

10.如权利要求9所述的半导体模块，其中，

上述过电压保护元件包括与第1齐纳二极管逆向地串联连接的第2齐纳二极管。

11.如权利要求8所述的半导体模块，其中，

上述过电压保护元件包括变阻器。

12.如权利要求1所述的半导体模块，其中，

还具备将上述第1半导体开关元件、上述第2半导体开关元件、上述第1熔断部及上述第2熔断部覆盖的密封件。