[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

一种器件包括再分布结构；第一半导体器件、第一天线和第一导电柱，位于再分布结构上并且电连接到再分布结构；天线结构，位于第一半导体器件上方，其中，天线结构包括与第一天线不同的第二天线，其中天线结构包括接合到第一导电柱的外部连接件，以及在天线结构和再分布结构之间延伸的模制材料，模制材料围绕第一半导体器件、第一天线、外部连接件和第一导电柱。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体器件及其制造方法。

背景技术

由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的不断改进，半导体工业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的这种改进来自最小部件尺寸的反复减小(例如，将半导体工艺节点缩小到低于20nm的节点)，这允许将更多组件集成到给定区域中。随着近年来对小型化、更高速度和更高带宽以及更低功耗和延迟的需求的增长，对半导体管芯的更小且更具创造性的封装件技术的需求不断增长。

随着半导体技术的进一步发展，堆叠和接合的半导体器件已经成为进一步减小半导体器件的物理尺寸的有效替代方案。在堆叠半导体器件中，诸如逻辑、存储器、处理器电路等的有源电路至少部分地制造在单独的衬底上，然后物理地和电接合在一起，以形成功能器件。这种接合工艺利用复杂的技术，并且期望改进。

发明内容

本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括：再分布结构；第一半导体器件、第一天线和第一导电柱，位于所述再分布结构上并且电连接到所述再分布结构；天线结构，位于所述第一半导体器件上方，其中，所述天线结构包括与所述第一天线不同的第二天线，其中，所述天线结构包括接合到所述第一导电柱的外部连接件；以及模制材料，在所述天线结构和所述再分布结构之间延伸，所述模制材料围绕所述第一半导体器件、所述第一天线、所述外部连接件和所述第一导电柱。

本发明的另一实施例提供了一种半导体器件，包括：再分布结构；天线结构，设置在所述再分布结构上方，所述天线结构包括：绝缘层；贴片天线，位于所述绝缘层的顶面上；端射天线，位于所述绝缘层的顶面上；通孔，延伸穿过所述绝缘层；和连接件，将所述通孔电连接到所述再分布结构；偶极天线，连接到所述再分布结构并且插入所述再分布结构和所述天线结构之间；以及第一半导体器件，连接到所述再分布结构并且设置在所述再分布结构和所述天线结构之间。

本发明的又一实施例提供了一种制造半导体器件的方法，包括：在载体晶圆上方形成再分布结构；在所述再分布结构上形成多条第一天线和多个导电柱；将第一半导体器件附接到所述再分布结构；在天线衬底上形成多条第二天线；在所述天线衬底上形成多个外部连接件；将所述多个外部连接件附接到所述多个导电柱，其中，所述第一半导体器件和所述多条第一天线设置在所述再分布结构和所述天线衬底之间；在所述再分布结构和所述天线衬底之间形成模制材料；以及去除所述载体晶圆。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1至图3A、图3B、图4、图5、图6A、图6B、图7、图8A、图8B、图9A、图9B、图10A、图10B、图10C和图11示出了根据一些实施例的形成天线封装件的中间步骤的截面图和平面图。

图12至图16示出了根据一些实施例的形成天线封装件的中间步骤的截面图。

图17至图21示出了根据一些实施例的形成天线封装件的中间步骤的截面图。

图22至图24示出了根据一些实施例的形成天线封装件的中间步骤的截面图。

图25至图30示出了根据一些实施例的形成天线封装件的中间步骤的截面图。

图31示出了根据一些实施例的具有侧壁天线的天线封装件的立体图。