[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

再分布结构；

第一半导体器件、第一天线和第一导电柱，位于所述再分布结构上并且电连接到所述再分布结构，所述第一半导体器件具有形成在所述第一半导体器件的顶面上的导电层；

天线结构，位于所述第一半导体器件上方，其中，所述天线结构包括与所述第一天线不同的第二天线，其中，所述天线结构包括接合到所述第一导电柱的外部连接件，所述天线结构包括绝缘衬底和延伸穿过所述绝缘衬底的至少一个通孔，所述至少一个通孔包括设置在所述第一半导体器件上方的热通孔，所述天线结构还包括位于所述热通孔的端部上方的导电材料，所述导电材料在所述绝缘衬底的表面上方延伸，以及设置在所述绝缘衬底的底面上的接地平面；以及

模制材料，在所述天线结构和所述再分布结构之间延伸，所述模制材料围绕所述第一半导体器件、所述第一天线、所述外部连接件和所述第一导电柱，

其中，第二连接件放置在所述第一半导体器件的所述导电层上以将所述接地平面电连接到所述导电层，所述导电层用作除了所述接地平面之外的接地平面。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述天线结构还包括第三天线，所述第三天线不同于所述第一天线并且不同于所述第二天线。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一天线是偶极天线。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二天线是贴片天线。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体器件是射频芯片。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体器件具有在所述再分布结构之上的第一高度，所述第一高度低于或高于所述第一天线的高度。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述天线结构包括覆铜层压结构。

8.一种半导体器件，包括：

再分布结构；

天线结构，设置在所述再分布结构上方，所述天线结构包括：

绝缘层；

贴片天线，位于所述绝缘层的顶面上；

端射天线，位于所述绝缘层的顶面上；

通孔，延伸穿过所述绝缘层；和

第一连接件，将所述通孔电连接到所述再分布结构，

接地平面，设置在所述绝缘层的底面上；

偶极天线，连接到所述再分布结构并且插入所述再分布结构和所述天线结构之间；以及

第一半导体器件，连接到所述再分布结构并且设置在所述再分布结构和所述天线结构之间，其中，所述通孔包括设置在所述第一半导体器件上方的热通孔，所述天线结构还包括位于所述热通孔的端部上方的导电材料，所述导电材料在所述绝缘层的表面上方延伸，所述第一半导体器件具有形成在所述第一半导体器件的顶面上的导电层，

其中，第二连接件放置在所述第一半导体器件的所述导电层上以将所述接地平面电连接到所述导电层，所述导电层用作除了所述接地平面之外的接地平面。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述通孔连接到所述贴片天线。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述端射天线是寄生天线，并且所述端射天线由所述贴片天线寄生地驱动。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括在所述偶极天线和所述第一半导体器件上方和周围延伸的模制材料。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第一半导体器件具有在所述再分布结构之上的第一高度，所述第一高度低于或高于所述偶极天线的高度。