[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

基底，包括单元区域和扩展区域；

多个沟道结构，设置在单元区域中并且在基本垂直于基底的上表面的第一方向上延伸；

多个栅电极层，围绕所述多个沟道结构，其中，所述多个栅电极层在第一方向上彼此分隔开并且在基本垂直于第一方向的第二方向上延伸；以及

多个字线切口，在第一方向上切割所述多个栅电极层并且在第二方向上连续延伸；

其中，所述多个字线切口中的至少一个字线切口是包括扩展部分的扩展字线切口，扩展部分在沿第二方向延伸的第一预定区域中的面积与位于与所述至少一个字线切口同一水平处的除了所述至少一个字线切口之外的剩余字线切口中的每个的面积不同。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在第一预定区域中，扩展部分的面积大于除了所述至少一个字线切口之外的所述剩余字线切口中的每个的面积。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，扩展部分在与扩展区域相邻的区域中设置在单元区域中。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，扩展部分设置在单元区域中并且在第二方向上延伸到扩展区域中。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在平面视图中，扩展字线切口与所述多个栅电极层中的每个的在基本垂直于第二方向的第三方向上彼此分隔开的两个侧壁相邻设置。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，扩展字线切口是多个等同的扩展字线切口中的一个，并且扩展字线切口在垂直于第二方向的第三方向上与除了扩展字线切口之外的剩余字线切口基本平行地交替设置。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

绝缘的共源极线间隔件，设置在所述多个字线切口中的每个中；以及

导电的共源极线，设置在所述多个字线切口中的每个中。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，扩展部分包括：

最上面的扩展部分，位于与所述多个栅电极层之中的位于最上面的水平处的最上面的栅电极层的水平相等的水平处；以及

最下面的扩展部分，位于与所述多个栅电极层之中的位于最下面的水平处的最下面的栅电极层的水平相等的水平处，并且具有相对小于最上面的扩展部分的面积的面积。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，最下面的扩展部分的宽度大于或等于设置在与最下面的扩展部分位于同一水平处的多个字线切口之中的除了第二预定区域之外的区域中的部分的宽度。

10.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

基底；

多个沟道结构，在基本垂直于基底的上表面的第一方向上延伸；

多个栅电极层，围绕所述多个沟道结构，其中，所述多个栅电极层以递阶形状的形式堆叠以在第一方向上彼此分隔开并且在基本垂直于第一方向的第二方向上延伸；

多个字线切口，在第一方向上切割所述多个栅电极层并且在第二方向上延伸；以及

连接件，将设置在同一层上的栅电极层连接并且从所述多个栅电极层中的每个突出，

其中，所述多个字线切口包括具有扩展部分的扩展字线切口以及被连接件分离的分离字线切口。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，扩展部分设置在沿基本垂直于第二方向的第三方向延伸的预定区域中，并且具有比分离字线切口之中的设置在所述预定区域中的部分的面积大的面积。

12.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，在垂直于第二方向的第三方向上，扩展字线切口中的至少一个设置在相邻的分离字线切口之间。