专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]三维半导体存储器装置和包括其的电子系统-CN202310002776.6在审
  • 崔茂林;成政泰;张允瑄 - 三星电子株式会社
  • 2023-01-03 - 2023-10-17 - H10B12/00
  • 提供了一种三维半导体存储器装置和包括其的电子系统,所述三维半导体存储器装置包括基底、设置在基底上的外围电路结构和设置在外围电路结构上的单元阵列结构。单元阵列结构包括:堆叠件,包括交替的层间绝缘层和导电图案,导电图案包括栅电极和作为导电图案的最上面的图案的第一源极导电图案;第二源极导电图案,设置在堆叠件上并与第一源极导电图案的顶表面接触,第二源极导电图案包括与第一源极导电图案的材料不同的材料;以及垂直沟道结构,设置为穿透堆叠件并插入到第二源极导电图案的下部中。垂直沟道结构包括连接到第二源极导电图案的垂直半导体图案。
  • 三维半导体存储器装置包括电子系统
  • [发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的电子系统-CN202310324949.6在审
  • 成政泰;张允瑄;崔茂林 - 三星电子株式会社
  • 2023-03-29 - 2023-10-17 - H10B41/41
  • 本公开涉及一种半导体器件和包括该半导体器件的电子系统。该半导体器件包括:第一半导体结构,包括下接合结构;以及第二半导体结构,包括设置在第一半导体结构上的第二基板、在垂直于第二基板的下表面的第一方向上堆叠并彼此间隔开的栅电极、接合到下接合结构的上接合结构、设置在第二基板的上表面上并电连接到沟道层且包括金属材料的板导电层、以及穿透全部栅电极并在垂直于第一方向的第二方向上延伸的隔离结构。隔离结构包括垂直导电层,该垂直导电层从板导电层延伸并与板导电层集成,并且包括与板导电层的金属材料相同的金属材料。
  • 半导体器件包括电子系统
  • [发明专利]半导体装置-CN202211222032.7在审
  • 崔茂林;成政泰;张允瑄 - 三星电子株式会社
  • 2022-10-08 - 2023-05-09 - H10B43/27
  • 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括包含单元区域和外围电路区域的第一基底和第二基底、第一栅电极结构和第二栅电极结构、第一沟道和第二沟道以及第一晶体管至第三晶体管。第一栅电极结构和第二栅电极结构在竖直方向上包括第一栅电极和第二栅电极。第一沟道和第二沟道延伸穿过第一栅电极结构和第二栅电极结构。第一晶体管在外围电路区域上。第二栅电极结构在第一栅电极结构和第一晶体管上。第二晶体管和第三晶体管在第二栅电极结构上。第二基底在第二晶体管和第三晶体管上。第一沟道和第二沟道彼此不直接接触,彼此电连接,并且从第二晶体管接收电信号。第一晶体管和第三晶体管将电信号施加到第一栅电极和第二栅电极结构。
  • 半导体装置
  • [发明专利]制造三维半导体存储器装置的方法-CN202211113052.0在审
  • 金志泳;崔茂林;崔峻荣;成政泰;尹尚希;全祐用 - 三星电子株式会社
  • 2022-09-14 - 2023-03-17 - H10B43/35
  • 一种制造三维半导体存储器装置的方法包括在第一基板的第一表面上形成外围电路结构,在第二基板的第一表面上形成单元阵列结构,以及将单元阵列结构附接到外围电路结构,使得第一基板的第一表面和第二基板的第一表面彼此面对。单元阵列结构可以通过在第二基板上形成背侧通路和初步接触焊盘并形成半导体层来形成。孔可以形成为穿透半导体层并暴露初步接触焊盘,并且可以通过去除初步接触焊盘的上部而形成,从而形成与半导体层分离的接触焊盘。该方法可以进一步包括在半导体层上形成堆叠、在堆叠上形成绝缘层、以及形成穿透绝缘层并连接到接触焊盘的接触插塞。
  • 制造三维半导体存储器装置方法
  • [发明专利]半导体器件和包括半导体器件的数据存储系统-CN202210811817.1在审
  • 崔茂林;成政泰 - 三星电子株式会社
  • 2022-07-11 - 2023-01-17 - H10B41/50
  • 一种半导体器件,包括:电路器件,位于第一衬底上;下互连结构,电连接到电路器件;下接合结构,连接到下互连结构;上接合结构,位于下接合结构上;上互连结构,连接到上接合结构;第二衬底,位于上互连结构上;栅电极,位于上互连结构与第二衬底之间;沟道结构,贯穿栅电极,并且沟道结构中的每一个包括沟道层;通孔图案,位于第二衬底上;源极接触插塞,在第二衬底的外侧与第二衬底间隔开,并且具有高于第二衬底的上表面和低于最下面栅电极的下表面;以及源极连接图案,与通孔图案中的每一个的上表面和源极接触插塞的上表面接触。
  • 半导体器件包括数据存储系统
  • [发明专利]半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统-CN202210433790.7在审
  • 崔茂林;成政泰 - 三星电子株式会社
  • 2022-04-24 - 2022-11-11 - H01L27/11573
  • 提供了半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统。所述半导体装置包括第一基底结构和第二基底结构,第一基底结构包括基底、电路元件和第一键合金属层,第二基底结构连接到第一基底结构。第二基底结构包括:板层;栅电极,在第一方向上堆叠在板层下方;分离区域,穿透栅电极并且在第二方向上延伸并在第二方向上彼此间隔开;绝缘区域,从板层的上表面延伸并且穿透板层和在分离区域之间的栅电极中的至少一个;以及第二键合金属层,连接到第一键合金属层。绝缘区域具有倾斜的侧表面,使得绝缘区域的宽度在朝向第一基底结构的方向上减小。
  • 半导体装置包括数据存储系统
  • [发明专利]半导体器件和包括其的数据存储系统-CN202210194758.8在审
  • 崔茂林;成政泰;崔峻荣 - 三星电子株式会社
  • 2022-03-01 - 2022-09-06 - H01L27/11556
  • 提供半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统。所述半导体器件包括:第一半导体结构,所述第一半导体结构包括第一衬底、位于所述第一衬底上的电路器件、位于所述电路器件上的下互连结构和电连接到所述下互连结构的下接合结构;以及第二半导体结构,所述第二半导体结构设置在所述第一半导体结构上,并且包括第二衬底、在与所述第二衬底的下表面垂直的第一方向上堆叠并彼此间隔开的栅电极、穿过所述栅电极并在所述第一方向上延伸的沟道结构以及电连接到所述栅电极和所述沟道结构并接合到所述下接合结构的上接合结构。所述第二半导体结构还包括连接到所述第二衬底的上部的第一通路、与所述第一通路和所述第二衬底间隔开的第二通路以及接触插塞。
  • 半导体器件包括数据存储系统
  • [发明专利]半导体装置和包括半导体装置的数据存储系统-CN202111260065.6在审
  • 黄允照;金志泳;成政泰;崔峻荣 - 三星电子株式会社
  • 2021-10-28 - 2022-05-06 - H01L27/11575
  • 提供了一种半导体装置和包括半导体装置的数据存储系统。所述半导体装置包括第一基底结构和第二基底结构,第一基底结构包括第一基底、电路器件、第一互连线、位于第一互连线的上表面上的接合金属层以及位于第一互连线的上表面上且位于接合金属层的横向表面上的第一接合绝缘层,第二基底结构位于第一基底结构上并且包括第二基底、栅电极、沟道结构、第二互连线、接合过孔和第二接合绝缘层,接合过孔连接到第二互连线和接合金属层、并且具有倾斜为使得接合过孔的宽度随着接近第一基底结构而增大的横向表面,第二接合绝缘层与接合过孔的至少下部接触。接合金属层包括虚设接合金属层,虚设接合金属层不连接到接合过孔并且与第二接合绝缘层接触。
  • 半导体装置包括数据存储系统
  • [发明专利]半导体器件-CN202011558824.2在审
  • 金江旻;金振赫;成政泰;申重植;李星炯 - 三星电子株式会社
  • 2020-12-25 - 2021-06-29 - H01L27/11582
  • 一种半导体器件包括:第一基板,包括单元区域和围绕单元区域的延伸区域;在第一基板上的公共源极板;在公共源极板上的支撑件;第一堆叠结构,在支撑件上并包括交替地堆叠的第一绝缘膜和第一栅电极;沟道孔,在单元区域上穿透第一堆叠结构、支撑件和公共源极板;以及电极隔离沟槽,在单元区域上在第一方向上与沟道孔间隔开,在第二方向上延伸,并穿透第一堆叠结构、支撑件和公共源极板,其中在与电极隔离沟槽相邻的第一区域中的支撑件的第一厚度大于形成在电极隔离沟槽与沟道孔之间的第二区域中的支撑件的第二厚度。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体装置-CN201910752389.8在审
  • 金英宇;权俊瑛;李呈焕;成政泰;申智敏 - 三星电子株式会社
  • 2019-08-15 - 2020-06-30 - H01L27/1157
  • 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括:基底,具有单元区域和扩展区域;沟道结构,设置在单元区域中且在基本垂直于基底的上表面的第一方向上延伸;栅电极层,围绕沟道结构,并且堆叠成在第一方向上彼此分隔开且在基本垂直于第一方向的第二方向上延伸;以及字线切口,在第一方向上切割栅电极层且在第二方向上连续延伸。至少一个字线切口是具有扩展部分的扩展字线切口,该扩展部分在沿第二方向延伸的预定区域中具有位于与至少一个字线切口同一水平处的剩余的字线切口的面积不同的面积。
  • 半导体装置

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