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[实用新型]半导体器件-CN202120661877.0有效
发明人： D.郑;金英宇;金宰成;印炯烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本实用新型提供了半导体器件。一种半导体器件包括：基板，具有第一区域和第二区域；栅电极，在第一区域中在垂直于基板的上表面的第一方向上堆叠且彼此间隔开，并在第二区域中沿着垂直于第一方向的第二方向以不同的长度延伸；第一分隔区域，在第一区域和第二区域中穿透栅电极，在第二方向上延伸，并在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上彼此间隔开；第二分隔区域，在第二区域中穿透栅电极，在第一分隔区域之间在第二方向上延伸并在第二方向上彼此间隔开；以及第一垂直结构，在第二区域中穿透栅电极并最靠近第一区域，其中第二分隔区域在第三方向上的宽度大于第一垂直结构的宽度，第二分隔区域的与第一区域相邻的第一端点在第二方向上与第一垂直结构的中心轴线间隔开，并与第一垂直结构的中心轴线相比更远离第一区域。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202110642070.7在审
发明人： 金英宇;郑多云;李晫;李桢敏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：基板，具有第一区域和第二区域；在第二区域中的基板中的绝缘图案，限定基板的有源图案；栅电极，彼此间隔开并堆叠在基板的上表面上并且在第一方向上延伸；第一分隔区域，在第一方向上延伸并与有源图案接触；第二分隔区域，在第一分隔区域之间在第一方向上延伸；以及沟道结构，在第一区域中贯穿栅电极。第二分隔区域中的至少一个与在绝缘图案下方的基板接触。
半导体器件

[发明专利]三维半导体存储装置和竖直集成电路装置-CN201610878460.3有效
发明人：李东植;金英宇;辛镇铉;李正勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-10-08 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：公开了一种三维半导体存储装置和一种竖直集成电路装置，所述竖直集成电路装置可包括基底，基底具有第一区域和第二区域，第一区域被预留用于竖直集成电路装置的第一功能电路，其中，第一功能电路具有横跨第一区域的基本恒定的顶表面水平，第二区域被预留用于竖直集成电路装置的第二功能电路并且与第一区域隔开。第二功能电路可具有横跨第二区域的变化的顶表面水平。掺杂的氧化抑制材料可被包括在基底中并且可分别在基底与第一功能电路和第二功能电路的界面处从第一区域延伸到第二区域。
三维半导体存储装置竖直集成电路

[发明专利]半导体器件-CN202110346429.6在审
发明人： D.郑;金英宇;金宰成;印炯烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：基板，具有第一区域和第二区域；栅电极，在第一区域中在垂直于基板的上表面的第一方向上堆叠且彼此间隔开，并在第二区域中沿着垂直于第一方向的第二方向以不同的长度延伸；第一分隔区域，在第一区域和第二区域中穿透栅电极，在第二方向上延伸，并在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上彼此间隔开；第二分隔区域，在第二区域中穿透栅电极，在第一分隔区域之间在第二方向上延伸并在第二方向上彼此间隔开；以及第一垂直结构，在第二区域中穿透栅电极并最靠近第一区域，其中第二分隔区域在第三方向上的宽度大于第一垂直结构的宽度，第二分隔区域的与第一区域相邻的第一端点在第二方向上与第一垂直结构的中心轴线间隔开，并与第一垂直结构的中心轴线相比更远离第一区域。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN201910752389.8在审
发明人： 金英宇;权俊瑛;李呈焕;成政泰;申智敏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，具有单元区域和扩展区域；沟道结构，设置在单元区域中且在基本垂直于基底的上表面的第一方向上延伸；栅电极层，围绕沟道结构，并且堆叠成在第一方向上彼此分隔开且在基本垂直于第一方向的第二方向上延伸；以及字线切口，在第一方向上切割栅电极层且在第二方向上连续延伸。至少一个字线切口是具有扩展部分的扩展字线切口，该扩展部分在沿第二方向延伸的预定区域中具有位于与至少一个字线切口同一水平处的剩余的字线切口的面积不同的面积。
半导体装置

[发明专利]三维半导体装置-CN201711214301.4在审
发明人： 金英宇;任峻成;尹壮根;黄盛珉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L27/11526 文献下载
摘要：提供了一种三维(3D)半导体装置，所述3D半导体装置包括具有单元阵列区和外围电路区的基底。单元阵列结构位于单元阵列区中，并包括3D存储器单元阵列。外围逻辑结构位于外围电路区中并包括外围电路晶体管。单元绝缘层使单元阵列结构绝缘。外围绝缘层与外围逻辑结构和单元阵列区绝缘并且具有多孔层。
单元阵列区绝缘层单元阵列结构半导体装置外围电路区逻辑结构外围绝缘存储器单元阵列三维半导体装置外围电路晶体管多孔层基底三维